品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6268
栅极电荷:65nC@10V
输入电容:2520pF@30V
包装方式:卷带(TR)
功率:56W
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:4.7mΩ@20A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:44A
ECCN:EAR99
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4268
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
导通电阻:4.8mΩ@19A,10V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:2500pF@30V
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":316}
规格型号(MPN):FQA27N25
栅极电荷:65nC@10V
输入电容:2450pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:250V
导通电阻:110mΩ@13.5A,10V
包装方式:管件
功率:210W
连续漏极电流:27A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4835DDY-T1-GE3
栅极电荷:65nC@10V
功率:2.5W€5.6W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:18mΩ@10A,10V
连续漏极电流:13A
类型:P沟道
输入电容:1960pF@15V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C426NT1G
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
输入电容:4300pF@25V
导通电阻:1.3mΩ@50A,10V
功率:3.8W€128W
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:41A€235A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC100N04S51R9ATMA1
栅极电荷:65nC@10V
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:3.4V@50µA
漏源电压:40V
输入电容:3770pF@25V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
功率:100W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":11880,"23+":10500}
规格型号(MPN):FDMS10C4D2N
栅极电荷:65nC@10V
连续漏极电流:17A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:4.2mΩ@44A,10V
类型:N沟道
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
输入电容:4500pF@50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4268
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
导通电阻:4.8mΩ@19A,10V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:2500pF@30V
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7469ADP-T1-RE3
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:7.4A€46A
输入电容:3420pF@40V
漏源电压:80V
导通电阻:19.3mΩ@10A,10V
类型:P沟道
功率:5W€73.5W
阈值电压:2.6V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:13+
规格型号(MPN):AON7418
功率:83W
连续漏极电流:50A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N-Channel
导通电阻:1.7mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6312
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:3100pF@15V
类型:N沟道
功率:50W
导通电阻:1.85mΩ@20A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:85A
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4835DDY-T1-GE3
栅极电荷:65nC@10V
功率:2.5W€5.6W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:18mΩ@10A,10V
连续漏极电流:13A
类型:P沟道
输入电容:1960pF@15V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4835DDY-T1-GE3
栅极电荷:65nC@10V
功率:2.5W€5.6W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:18mΩ@10A,10V
连续漏极电流:13A
类型:P沟道
输入电容:1960pF@15V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ886EP-T1_GE3
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@15.3A,10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:60A
功率:55W
输入电容:2922pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD110N12N3GATMA1
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
连续漏极电流:75A
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
漏源电压:120V
输入电容:4310pF@60V
阈值电压:3V@83µA
导通电阻:11mΩ@75A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N04S6L014ATMA1
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
输入电容:3935pF@25V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
导通电阻:1.4mΩ@50A,10V
功率:100W
阈值电压:2V@50µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPH3R206NC,L1XHQ
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:70A
阈值电压:2.5V@500µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:175℃
功率:960mW€132W
输入电容:4180pF@10V
导通电阻:3.2mΩ@35A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPH3R206NC,L1XHQ
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:70A
阈值电压:2.5V@500µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:175℃
功率:960mW€132W
输入电容:4180pF@10V
导通电阻:3.2mΩ@35A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS52DN-T1-GE3
栅极电荷:65nC@10V
导通电阻:1.2mΩ@20A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
输入电容:2.95nF@15V
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:2.2V@250μA
ECCN:EAR99
功率:57W€4.8W
连续漏极电流:47.1A€162A
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4268
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
导通电阻:4.8mΩ@19A,10V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:2500pF@30V
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IPP114N12N3GXKSA1
栅极电荷:65nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:75A
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@83µA
漏源电压:120V
包装方式:管件
输入电容:4310pF@60V
导通电阻:11.4mΩ@75A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4835DDY-T1-GE3
栅极电荷:65nC@10V
功率:2.5W€5.6W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:18mΩ@10A,10V
连续漏极电流:13A
类型:P沟道
输入电容:1960pF@15V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":58000}
规格型号(MPN):IRFR1205TRPBF
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
功率:107W
类型:N-Channel
连续漏极电流:44A
工作温度:-55℃~175℃
漏源电压:55V
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:27mΩ@26A,10V
ECCN:EAR99
输入电容:1300pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4835DDY-T1-E3
栅极电荷:65nC@10V
功率:2.5W€5.6W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:18mΩ@10A,10V
连续漏极电流:13A
类型:P沟道
输入电容:1960pF@15V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR876BDP-T1-RE3
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
功率:5W€71.4W
类型:N沟道
输入电容:3040pF@50V
连续漏极电流:13.6A€51.4A
漏源电压:100V
导通电阻:10.8mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS52DN-T1-GE3
栅极电荷:65nC@10V
导通电阻:1.2mΩ@20A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
输入电容:2.95nF@15V
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:2.2V@250μA
ECCN:EAR99
功率:57W€4.8W
连续漏极电流:47.1A€162A
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6382
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:3100pF@15V
类型:N沟道
功率:50W
导通电阻:1.85mΩ@20A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:85A
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMJS1D3N04CTWG
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
输入电容:4300pF@25V
导通电阻:1.3mΩ@50A,10V
功率:3.8W€128W
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:41A€235A
阈值电压:3.5V@170µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA64DP-T1-RE3
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:3420pF@15V
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@10A,10V
连续漏极电流:60A
阈值电压:2.2V@250µA
功率:27.8W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":1730,"21+":1609,"22+":540,"23+":5064,"MI+":1299}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70N12S311ATMA1
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@83µA
漏源电压:120V
输入电容:4355pF@25V
导通电阻:11.1mΩ@70A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货