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    AOS Mosfet场效应管 AON6268 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6268 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6268

    栅极电荷:65nC@10V

    输入电容:2520pF@30V

    包装方式:卷带(TR)

    功率:56W

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:4.7mΩ@20A,10V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    连续漏极电流:44A

    ECCN:EAR99

    阈值电压:2.3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月20日前
    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4268 起订30个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4268 起订30个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4268

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    导通电阻:4.8mΩ@19A,10V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    输入电容:2500pF@30V

    阈值电压:2.3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月20日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQA27N25 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQA27N25 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"22+":316}

    规格型号(MPN):FQA27N25

    栅极电荷:65nC@10V

    输入电容:2450pF@25V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    漏源电压:250V

    导通电阻:110mΩ@13.5A,10V

    包装方式:管件

    功率:210W

    连续漏极电流:27A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月20日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4835DDY-T1-GE3

    栅极电荷:65nC@10V

    功率:2.5W€5.6W

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    连续漏极电流:13A

    类型:P沟道

    输入电容:1960pF@15V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月20日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C426NT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C426NT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C426NT1G

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    输入电容:4300pF@25V

    导通电阻:1.3mΩ@50A,10V

    功率:3.8W€128W

    阈值电压:3.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:41A€235A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月20日前
    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC100N04S51R9ATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC100N04S51R9ATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPC100N04S51R9ATMA1

    栅极电荷:65nC@10V

    导通电阻:1.9mΩ@50A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    阈值电压:3.4V@50µA

    漏源电压:40V

    输入电容:3770pF@25V

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:100A

    功率:100W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月20日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS10C4D2N 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS10C4D2N 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"21+":11880,"23+":10500}

    规格型号(MPN):FDMS10C4D2N

    栅极电荷:65nC@10V

    连续漏极电流:17A

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:4.2mΩ@44A,10V

    类型:N沟道

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    输入电容:4500pF@50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月20日前
    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4268 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4268 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4268

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    导通电阻:4.8mΩ@19A,10V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    输入电容:2500pF@30V

    阈值电压:2.3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月20日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7469ADP-T1-RE3 起订300个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7469ADP-T1-RE3 起订300个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7469ADP-T1-RE3

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:7.4A€46A

    输入电容:3420pF@40V

    漏源电压:80V

    导通电阻:19.3mΩ@10A,10V

    类型:P沟道

    功率:5W€73.5W

    阈值电压:2.6V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月20日前
    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON7418 起订22个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7418 起订22个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:13+

    规格型号(MPN):AON7418

    功率:83W

    连续漏极电流:50A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N-Channel

    导通电阻:1.7mΩ@20A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月20日前
    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6312 起订25个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6312 起订25个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6312

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:3100pF@15V

    类型:N沟道

    功率:50W

    导通电阻:1.85mΩ@20A,10V

    阈值电压:2.2V@250µA

    连续漏极电流:85A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月20日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4835DDY-T1-GE3

    栅极电荷:65nC@10V

    功率:2.5W€5.6W

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    连续漏极电流:13A

    类型:P沟道

    输入电容:1960pF@15V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月20日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4835DDY-T1-GE3

    栅极电荷:65nC@10V

    功率:2.5W€5.6W

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    连续漏极电流:13A

    类型:P沟道

    输入电容:1960pF@15V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月20日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ886EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ886EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ886EP-T1_GE3

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@15.3A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:60A

    功率:55W

    输入电容:2922pF@20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月20日前
    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD110N12N3GATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD110N12N3GATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD110N12N3GATMA1

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    类型:N沟道

    连续漏极电流:75A

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    漏源电压:120V

    输入电容:4310pF@60V

    阈值电压:3V@83µA

    导通电阻:11mΩ@75A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月20日前
    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N04S6L014ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N04S6L014ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC100N04S6L014ATMA1

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    输入电容:3935pF@25V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:100A

    导通电阻:1.4mΩ@50A,10V

    功率:100W

    阈值电压:2V@50µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月20日前
    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPH3R206NC,L1XHQ 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPH3R206NC,L1XHQ 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XPH3R206NC,L1XHQ

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:70A

    阈值电压:2.5V@500µA

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    工作温度:175℃

    功率:960mW€132W

    输入电容:4180pF@10V

    导通电阻:3.2mΩ@35A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月20日前
    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPH3R206NC,L1XHQ 起订2000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPH3R206NC,L1XHQ 起订2000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XPH3R206NC,L1XHQ

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:70A

    阈值电压:2.5V@500µA

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    工作温度:175℃

    功率:960mW€132W

    输入电容:4180pF@10V

    导通电阻:3.2mΩ@35A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月20日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS52DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS52DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS52DN-T1-GE3

    栅极电荷:65nC@10V

    导通电阻:1.2mΩ@20A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    类型:1个N沟道

    输入电容:2.95nF@15V

    工作温度:-55℃~+150℃

    阈值电压:2.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    功率:57W€4.8W

    连续漏极电流:47.1A€162A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月20日前
    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4268 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4268 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4268

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    导通电阻:4.8mΩ@19A,10V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    输入电容:2500pF@30V

    阈值电压:2.3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月20日前
    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP114N12N3GXKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP114N12N3GXKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):IPP114N12N3GXKSA1

    栅极电荷:65nC@10V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:75A

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:4V@83µA

    漏源电压:120V

    包装方式:管件

    输入电容:4310pF@60V

    导通电阻:11.4mΩ@75A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月20日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4835DDY-T1-GE3

    栅极电荷:65nC@10V

    功率:2.5W€5.6W

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    连续漏极电流:13A

    类型:P沟道

    输入电容:1960pF@15V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月20日前
    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR1205TRPBF 起订700个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR1205TRPBF 起订700个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"22+":58000}

    规格型号(MPN):IRFR1205TRPBF

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    功率:107W

    类型:N-Channel

    连续漏极电流:44A

    工作温度:-55℃~175℃

    漏源电压:55V

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:27mΩ@26A,10V

    ECCN:EAR99

    输入电容:1300pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月20日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4835DDY-T1-E3

    栅极电荷:65nC@10V

    功率:2.5W€5.6W

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    连续漏极电流:13A

    类型:P沟道

    输入电容:1960pF@15V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月20日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR876BDP-T1-RE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR876BDP-T1-RE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR876BDP-T1-RE3

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    功率:5W€71.4W

    类型:N沟道

    输入电容:3040pF@50V

    连续漏极电流:13.6A€51.4A

    漏源电压:100V

    导通电阻:10.8mΩ@10A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月20日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS52DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS52DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS52DN-T1-GE3

    栅极电荷:65nC@10V

    导通电阻:1.2mΩ@20A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    类型:1个N沟道

    输入电容:2.95nF@15V

    工作温度:-55℃~+150℃

    阈值电压:2.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    功率:57W€4.8W

    连续漏极电流:47.1A€162A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月20日前
    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6382 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6382 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6382

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:3100pF@15V

    类型:N沟道

    功率:50W

    导通电阻:1.85mΩ@20A,10V

    阈值电压:2.2V@250µA

    连续漏极电流:85A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月20日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMJS1D3N04CTWG 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMJS1D3N04CTWG 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMJS1D3N04CTWG

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    输入电容:4300pF@25V

    导通电阻:1.3mΩ@50A,10V

    功率:3.8W€128W

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:41A€235A

    阈值电压:3.5V@170µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月20日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA64DP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA64DP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA64DP-T1-RE3

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:3420pF@15V

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@10A,10V

    连续漏极电流:60A

    阈值电压:2.2V@250µA

    功率:27.8W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月20日前
    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD70N12S311ATMA1 起订369个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD70N12S311ATMA1 起订369个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":1730,"21+":1609,"22+":540,"23+":5064,"MI+":1299}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD70N12S311ATMA1

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@83µA

    漏源电压:120V

    输入电容:4355pF@25V

    导通电阻:11.1mΩ@70A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月20日前
    - +
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