品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H888NWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€18W
阈值电压：4V@15µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@40V
连续漏极电流：4.7A€12A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H888NTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€18W
阈值电压：4V@15µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@40V
连续漏极电流：4.7A€12A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H888NWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€18W
阈值电压：4V@15µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@40V
连续漏极电流：4.7A€12A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN70R1K4P7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：6.2W
阈值电压：3.5V@40µA
栅极电荷：4.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：158pF@400V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@700mA，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H888NTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€18W
阈值电压：4V@15µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@40V
连续漏极电流：4.7A€12A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70R1K4P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：23W
阈值电压：3.5V@40µA
栅极电荷：4.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：158pF@400V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@700mA，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70R1K4P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：23W
阈值电压：3.5V@40µA
栅极电荷：4.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：158pF@400V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@700mA，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H888NWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€18W
阈值电压：4V@15µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@40V
连续漏极电流：4.7A€12A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN70R1K4P7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：6.2W
阈值电压：3.5V@40µA
栅极电荷：4.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：158pF@400V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@700mA，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70R1K4P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：23W
阈值电压：3.5V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：158pF@400V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@700mA，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN70R1K4P7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：6.2W
阈值电压：3.5V@40µA
栅极电荷：4.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：158pF@400V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@700mA，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70R1K4P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：23W
阈值电压：3.5V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：158pF@400V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@700mA，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
生产批次：{"14+"：103313}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMF87EN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：275mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@1.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H888NTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€18W
阈值电压：4V@15µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@40V
连续漏极电流：4.7A€12A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN70R1K4P7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：6.2W
阈值电压：3.5V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：158pF@400V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@700mA，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP02N120P
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：104pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：75Ω@100mA，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H888NWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€18W
阈值电压：4V@15µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@40V
连续漏极电流：4.7A€12A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70R1K4P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：23W
阈值电压：3.5V@40µA
栅极电荷：4.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：158pF@400V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@700mA，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H888NTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€18W
阈值电压：4V@15µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@40V
连续漏极电流：4.7A€12A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP02N120P
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：104pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：75Ω@100mA，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H888NWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€18W
阈值电压：4V@15µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@40V
连续漏极电流：4.7A€12A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN70R1K4P7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：6.2W
阈值电压：3.5V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：158pF@400V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@700mA，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H888NTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€18W
阈值电压：4V@15µA
栅极电荷：4.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@40V
连续漏极电流：4.7A€12A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H888NWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€18W
阈值电压：4V@15µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@40V
连续漏极电流：4.7A€12A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H888NTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€18W
阈值电压：4V@15µA
栅极电荷：4.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@40V
连续漏极电流：4.7A€12A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN70R1K4P7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：6.2W
阈值电压：3.5V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：158pF@400V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@700mA，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
生产批次：{"14+"：103313}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMF87EN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：275mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@1.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：310，"20+"：1873}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN70R1K4P7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：6.2W
阈值电压：3.5V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：158pF@400V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@700mA，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70R1K4P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：23W
阈值电压：3.5V@40µA
栅极电荷：4.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：158pF@400V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@700mA，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H888NWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€18W
阈值电压：4V@15µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@40V
连续漏极电流：4.7A€12A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
