品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZD3152PT1G
功率：250mW
包装方式：卷带（TR）
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：900mΩ@430mA，4.5V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
输入电容：175pF@16V
连续漏极电流：430mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZD3152PT1G
功率：250mW
包装方式：卷带（TR）
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：900mΩ@430mA，4.5V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
输入电容：175pF@16V
连续漏极电流：430mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP317PH6327XTSA1
包装方式：卷带（TR）
输入电容：262pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：15.1nC@10V
连续漏极电流：430mA
导通电阻：4Ω@430mA，10V
漏源电压：250V
阈值电压：2V@370µA
功率：1.8W
类型：P沟道
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP22D6UT-7
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：175pF@16V
连续漏极电流：0.43A
导通电阻：1.1Ω@430mA，4.5V
类型：P-Channel
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP0604N3-G
功率：740mW
包装方式：袋
类型：P沟道
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：2Ω@1A，10V
漏源电压：40V
连续漏极电流：430mA
输入电容：150pF@20V
阈值电压：2.4V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZD3152PT1G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：175pF@16V
连续漏极电流：430mA
功率：250mW
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：900mΩ@430mA，4.5V
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP317PH6327XTSA1
包装方式：卷带（TR）
输入电容：262pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：15.1nC@10V
连续漏极电流：430mA
导通电阻：4Ω@430mA，10V
漏源电压：250V
阈值电压：2V@370µA
功率：1.8W
类型：P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"21+"：31741}
规格型号(MPN)：NTZD3152PT1G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：175pF@16V
连续漏极电流：430mA
功率：250mW
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：900mΩ@430mA，4.5V
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP22D6UT-7
功率：150mW
导通电阻：1.1Ω@430mA，4.5V
包装方式：卷带（TR）
类型：P-Channel
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
输入电容：175pF@16V
连续漏极电流：0.43A
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2004DWK-7
功率：250mW
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：900mΩ@430mA，4.5V
类型：P-Channel
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
输入电容：175pF@16V
连续漏极电流：0.43A
工作温度：-65℃~150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2004DWK-7
功率：250mW
包装方式：卷带（TR）
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：900mΩ@430mA，4.5V
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
输入电容：175pF@16V
连续漏极电流：430mA
工作温度：-65℃~150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP317PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@370µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：262pF@25V
连续漏极电流：430mA
类型：P沟道
导通电阻：4Ω@430mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP317PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@370µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：262pF@25V
连续漏极电流：430mA
类型：P沟道
导通电阻：4Ω@430mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP317PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@370µA
栅极电荷：15.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：262pF@25V
连续漏极电流：430mA
类型：P沟道
导通电阻：4Ω@430mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP22D6UT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@16V
连续漏极电流：0.43A
类型：P-Channel
导通电阻：1.1Ω@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP22D6UT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@16V
连续漏极电流：0.43A
类型：P-Channel
导通电阻：1.1Ω@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP22D6UT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@16V
连续漏极电流：0.43A
类型：P-Channel
导通电阻：1.1Ω@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZD3152PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@16V
连续漏极电流：430mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：900mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：104400，"12+"：103691，"13+"：134453}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZD3152PT1H
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@16V
连续漏极电流：430mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：900mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2004TK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@16V
连续漏极电流：0.43A
类型：P-Channel
导通电阻：1.1Ω@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2004DWK-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@16V
连续漏极电流：0.43A
类型：P-Channel
导通电阻：900mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2004TK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@16V
连续漏极电流：0.43A
类型：P-Channel
导通电阻：1.1Ω@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZD3152PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@16V
连续漏极电流：430mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：900mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZD3152PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@16V
连续漏极电流：430mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：900mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2004TK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@16V
连续漏极电流：0.43A
类型：P-Channel
导通电阻：1.1Ω@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP0604N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：袋
输入电容：150pF@20V
连续漏极电流：430mA
类型：P沟道
导通电阻：2Ω@1A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZD3152PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@16V
连续漏极电流：430mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：900mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP22D6UT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@16V
连续漏极电流：430mA
类型：P沟道
导通电阻：1.1Ω@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP22D6UT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@16V
连续漏极电流：0.43A
类型：P-Channel
导通电阻：1.1Ω@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP0604N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：袋
输入电容：150pF@20V
连续漏极电流：430mA
类型：P沟道
导通电阻：2Ω@1A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
