品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS4435SC
功率：2.5W
阈值电压：1.7V@250μA
连续漏极电流：8.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：27mΩ@4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS4435SC
功率：2.5W
阈值电压：1.7V@250μA
连续漏极电流：8.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：27mΩ@4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS4435SC
功率：2.5W
阈值电压：1.7V@250μA
连续漏极电流：8.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：27mΩ@4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LP2317DT2AG
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：8.8A
类型：1个P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LP2317DT2AG
漏源电压：20V
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：8.8A
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4425BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.8A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@11.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4425BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.8A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@11.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP440PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：8.8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@5.3A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DY
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1604pF@15V
连续漏极电流：8.8A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4425BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.8A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@11.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DY
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1604pF@15V
连续漏极电流：8.8A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9024PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：8.8A
类型：P-Channel
导通电阻：280mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD09P10-195-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€32.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：34.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1055pF@50V
连续漏极电流：8.8A
类型：P沟道
导通电阻：195mΩ@3.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD09P10-195-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€32.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：34.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1055pF@50V
连续漏极电流：8.8A
类型：P沟道
导通电阻：195mΩ@3.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：0}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF9N25CT
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：710pF@25V
连续漏极电流：8.8A
类型：N沟道
导通电阻：430mΩ@4.4A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB12R5EPX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W€12.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1392pF@15V
连续漏极电流：8.8A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@8.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：04+
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DY
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1604pF@15V
连续漏极电流：8.8A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DY
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：24nC@5V
输入电容：1.604nF@15V
连续漏极电流：8.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@8.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9024PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：8.8A
类型：P-Channel
导通电阻：280mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1025UFDB-7
功率：1.7W
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：8.8A
类型：2个N沟道
导通电阻：25mΩ@4.5V，5.2A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DY
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：24nC@5V
输入电容：1.604nF@15V
连续漏极电流：8.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@8.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DY
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：24nC@5V
输入电容：1.604nF@15V
连续漏极电流：8.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@8.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6018LDR-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：869pF@30V
连续漏极电流：8.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：17mΩ@8.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS10P02R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：70nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3640pF@16V
连续漏极电流：8.8A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4435BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1845pF@15V
连续漏极电流：8.8A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD09P10-195-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€32.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：34.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1055pF@50V
连续漏极电流：8.8A
类型：P沟道
导通电阻：195mΩ@3.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6018LDR-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：869pF@30V
连续漏极电流：8.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：17mΩ@8.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP440PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：8.8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@5.3A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9024TRPBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：8.8A
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB12R5EPX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W€12.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1392pF@15V
连续漏极电流：8.8A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@8.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
