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    功率: 379W
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    ROHM Mosfet场效应管 R6035ENZ4C13
    ROHM Mosfet场效应管 R6035ENZ4C13

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6035ENZ4C13

    功率:379W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:110nC@10V

    输入电容:2.72nF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:102mΩ@18.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    起购:50
    ROHM Mosfet场效应管 R6035ENZ4C13
    ROHM Mosfet场效应管 R6035ENZ4C13

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6035ENZ4C13

    功率:379W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:110nC@10V

    输入电容:2.72nF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:102mΩ@18.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    起购:60
    INFINEON Mosfet场效应管 IPDD60R045CFD7XTMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPDD60R045CFD7XTMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPDD60R045CFD7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:379W

    阈值电压:4.5V@900µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:79nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3194pF@400V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@18A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6035ENZ4C13
    ROHM Mosfet场效应管 R6035ENZ4C13

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6035ENZ4C13

    功率:379W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:110nC@10V

    输入电容:2.72nF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:102mΩ@18.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    起购:10
    ROHM Mosfet场效应管 R6035ENZ4C13
    ROHM Mosfet场效应管 R6035ENZ4C13

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6035ENZ4C13

    功率:379W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:110nC@10V

    输入电容:2.72nF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:102mΩ@18.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    起购:250
    ROHM Mosfet场效应管 R6035ENZ4C13
    ROHM Mosfet场效应管 R6035ENZ4C13

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6035ENZ4C13

    功率:379W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:110nC@10V

    输入电容:2.72nF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:102mΩ@18.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    起购:5
    ROHM Mosfet场效应管 R6035ENZ4C13
    ROHM Mosfet场效应管 R6035ENZ4C13

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6035ENZ4C13

    功率:379W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:110nC@10V

    输入电容:2.72nF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:102mΩ@18.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    起购:5
    ROHM Mosfet场效应管 R6035ENZ4C13
    ROHM Mosfet场效应管 R6035ENZ4C13

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6035ENZ4C13

    功率:379W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:110nC@10V

    输入电容:2.72nF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:102mΩ@18.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60EF-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60EF-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG47N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:379W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:225nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4854pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N-Channel

    导通电阻:65mΩ

    漏源电压:2V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    起购:13
    ROHM Mosfet场效应管 R6035ENZ4C13
    ROHM Mosfet场效应管 R6035ENZ4C13

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6035ENZ4C13

    功率:379W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:110nC@10V

    输入电容:2.72nF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:102mΩ@18.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4LN040N65S3H
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4LN040N65S3H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4LN040N65S3H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:379W

    阈值电压:4V@6.8mA

    栅极电荷:132nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6513pF@400V

    连续漏极电流:62A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@31A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    起购:50
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4LN040N65S3H
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4LN040N65S3H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4LN040N65S3H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:379W

    阈值电压:4V@6.8mA

    栅极电荷:132nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6513pF@400V

    连续漏极电流:62A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@31A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4LN040N65S3H
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4LN040N65S3H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4LN040N65S3H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:379W

    阈值电压:4V@6.8mA

    栅极电荷:132nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6513pF@400V

    连续漏极电流:62A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@31A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IPDD60R045CFD7XTMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPDD60R045CFD7XTMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPDD60R045CFD7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:379W

    阈值电压:4.5V@900µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:79nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3194pF@400V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@18A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IPDD60R045CFD7XTMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPDD60R045CFD7XTMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPDD60R045CFD7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:379W

    阈值电压:4.5V@900µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:79nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3194pF@400V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@18A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    起购:10
    ROHM Mosfet场效应管 R6535KNZ4C13
    ROHM Mosfet场效应管 R6535KNZ4C13

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6535KNZ4C13

    功率:379W

    阈值电压:5V@1.21mA

    栅极电荷:72nC@10V

    输入电容:3nF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:115mΩ@18.1A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    起购:10
    ROHM Mosfet场效应管 R6035KNZ1C9
    ROHM Mosfet场效应管 R6035KNZ1C9

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6035KNZ1C9

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:379W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3000pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:102mΩ@18.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月31日前
    - +
    起购:100
    ROHM Mosfet场效应管 R6035ENZ4C13
    ROHM Mosfet场效应管 R6035ENZ4C13

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6035ENZ4C13

    功率:379W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:110nC@10V

    输入电容:2.72nF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:102mΩ@18.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月3日前
    - +
    起购:200
    ROHM Mosfet场效应管 R6035KNZ1C9
    ROHM Mosfet场效应管 R6035KNZ1C9

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6035KNZ1C9

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:379W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3000pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:102mΩ@18.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4LN040N65S3H 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4LN040N65S3H 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4LN040N65S3H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:379W

    阈值电压:4V@6.8mA

    栅极电荷:132nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6513pF@400V

    连续漏极电流:62A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@31A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60EF-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60EF-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG47N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:379W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:225nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4854pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N-Channel

    导通电阻:65mΩ

    漏源电压:2V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4LN040N65S3H
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4LN040N65S3H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4LN040N65S3H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:379W

    阈值电压:4V@6.8mA

    栅极电荷:132nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6513pF@400V

    连续漏极电流:62A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@31A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPDD60R045CFD7XTMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPDD60R045CFD7XTMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPDD60R045CFD7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:379W

    阈值电压:4.5V@900µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:79nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3194pF@400V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@18A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6035ENZ4C13
    ROHM Mosfet场效应管 R6035ENZ4C13

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6035ENZ4C13

    功率:379W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:110nC@10V

    输入电容:2.72nF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:102mΩ@18.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    起购:10
    ROHM Mosfet场效应管 R6035ENZ4C13
    ROHM Mosfet场效应管 R6035ENZ4C13

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6035ENZ4C13

    功率:379W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:110nC@10V

    输入电容:2.72nF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:102mΩ@18.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    起购:50
    ROHM Mosfet场效应管 R6035ENZ4C13
    ROHM Mosfet场效应管 R6035ENZ4C13

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6035ENZ4C13

    功率:379W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:110nC@10V

    输入电容:2.72nF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:102mΩ@18.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    起购:100
    ROHM Mosfet场效应管 R6035ENZ4C13
    ROHM Mosfet场效应管 R6035ENZ4C13

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6035ENZ4C13

    功率:379W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:110nC@10V

    输入电容:2.72nF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:102mΩ@18.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    起购:5
    ROHM Mosfet场效应管 R6035ENZ4C13
    ROHM Mosfet场效应管 R6035ENZ4C13

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6035ENZ4C13

    功率:379W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:110nC@10V

    输入电容:2.72nF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:102mΩ@18.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
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    起购:200
    ROHM Mosfet场效应管 R6035ENZ4C13
    ROHM Mosfet场效应管 R6035ENZ4C13

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6035ENZ4C13

    功率:379W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:110nC@10V

    输入电容:2.72nF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:102mΩ@18.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
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    起购:100
    ROHM Mosfet场效应管 R6035ENZ4C13
    ROHM Mosfet场效应管 R6035ENZ4C13

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6035ENZ4C13

    功率:379W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:110nC@10V

    输入电容:2.72nF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:102mΩ@18.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
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    起购:30
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