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    onsemi Mosfet场效应管 1HN04CH-TL-W 起订727个装
    onsemi Mosfet场效应管 1HN04CH-TL-W 起订727个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":7000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):1HN04CH-TL-W

    工作温度:150℃

    阈值电压:2.6V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15pF@20V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:8Ω@140mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月7日前
    - +
    起购:727
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKWX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKWX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX7002BKWX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW€1.67W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.6pF@10V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月7日前
    - +
    起购:67
    onsemi Mosfet场效应管 1HN04CH-TL-W
    onsemi Mosfet场效应管 1HN04CH-TL-W

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":870}

    销售单位:

    规格型号(MPN):1HN04CH-TL-W

    工作温度:150℃

    阈值电压:2.6V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15pF@20V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:8Ω@140mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月7日前
    - +
    起购:727
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4001NT3G 起订7个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4001NT3G 起订7个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS4001NT3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:33pF@5V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月7日前
    - +
    起购:7
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4001NT1G 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4001NT1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS4001NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    栅极电荷:1.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:33pF@5V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月7日前
    - +
    起购:3000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKWX 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKWX 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX7002BKWX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW€1.67W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.6pF@10V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月7日前
    - +
    起购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4001NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4001NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS4001NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    栅极电荷:1.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:33pF@5V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月7日前
    - +
    起购:3000
    加购:3000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKR 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKR 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX7002BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW€1.67W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.6pF@10V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月7日前
    - +
    起购:3000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKVL
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKVL

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":126150}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX7002BKVL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.6pF@10V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月7日前
    - +
    起购:15823
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4001NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4001NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS4001NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    栅极电荷:1.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:33pF@5V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月7日前
    - +
    起购:35
    DIODES Mosfet场效应管 DMN313DLT-7 起订57个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN313DLT-7 起订57个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN313DLT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36.3pF@5V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月7日前
    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKWX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKWX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX7002BKWX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW€1.67W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.6pF@10V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月7日前
    - +
    起购:71
    DIODES Mosfet场效应管 DMN24H11DS-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN24H11DS-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN24H11DS-7

    工作温度:-55℃~150℃

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:270mA

    类型:N-Channel

    导通电阻:11Ω

    漏源电压:240V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月7日前
    - +
    起购:15
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKR 起订46个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKR 起订46个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX7002BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW€1.67W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.6pF@10V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月7日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVS4001NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVS4001NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVS4001NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:33pF@5V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月7日前
    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKSX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKSX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX7002BKSX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW€1.67W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.6pF@10V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月7日前
    - +
    起购:99
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX7002BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW€1.67W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.6pF@10V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月7日前
    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKSX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKSX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX7002BKSX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW€1.67W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.6pF@10V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月7日前
    - +
    起购:61
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKWX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKWX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX7002BKWX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW€1.67W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.6pF@10V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月7日前
    - +
    起购:9000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN24H11DS-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN24H11DS-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN24H11DS-7

    工作温度:-55℃~150℃

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:270mA

    类型:N-Channel

    导通电阻:11Ω

    漏源电压:240V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月7日前
    - +
    起购:15
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX7002BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW€1.67W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.6pF@10V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月7日前
    - +
    起购:50
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKSX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKSX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX7002BKSX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW€1.67W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.6pF@10V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月7日前
    - +
    起购:20
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKSX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKSX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX7002BKSX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW€1.67W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.6pF@10V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月7日前
    - +
    起购:999
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4001NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4001NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS4001NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:33pF@5V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月7日前
    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKSX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKSX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX7002BKSX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW€1.67W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.6pF@10V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月7日前
    - +
    起购:499
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKWX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKWX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX7002BKWX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW€1.67W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.6pF@10V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月7日前
    - +
    起购:6000
    DIODES Mosfet场效应管 DMP10H4D2S-7 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP10H4D2S-7 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP10H4D2S-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:380mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:1.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:87pF@25V

    连续漏极电流:270mA

    类型:P沟道

    导通电阻:4.2Ω@500mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月7日前
    - +
    起购:1500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN24H11DSQ-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN24H11DSQ-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN24H11DSQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:76.8pF@25V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:11Ω@300mA,10V

    漏源电压:240V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月7日前
    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NVS4001NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVS4001NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVS4001NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    栅极电荷:1.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:33pF@5V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月7日前
    - +
    起购:100
    加购:5
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX7002BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW€1.67W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.6pF@10V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月7日前
    - +
    起购:27
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