品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPHR9203PL1,LQ
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.1V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7540pF@15V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:0.92mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPCA8026(TE12L,Q,M
工作温度:150℃
功率:1.6W€45W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:113nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4200pF@10V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@23A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN11006NL,LQ
工作温度:150℃
功率:700mW€30W
阈值电压:2.5V@200µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@30V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:11.4mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK210V65Z,LQ
工作温度:150℃
功率:130W
阈值电压:4V@610µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1370pF@300V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@7.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK210V65Z,LQ
工作温度:150℃
功率:130W
阈值电压:4V@610µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1370pF@300V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@7.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3878(STA1,E,S)
工作温度:-55℃~+150℃
功率:150W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:2.2nF@25V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
反向传输电容:190pF@25V
导通电阻:1Ω@10V,4A
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN11003NL,LQ
工作温度:150℃
功率:700mW€19W
阈值电压:2.3V@100µA
栅极电荷:7.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@5.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK65E10N1,S1X
工作温度:150℃
功率:192W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5400pF@50V
连续漏极电流:148A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@32.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK40E10N1,S1X(S
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K504NU,LF
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:19.5mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPW1R005PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@22.5V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6P35AFE,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:42pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J213FE(TE85L,F
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:4.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@10V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:103mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK10J80E,S1E
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J135TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:103mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH6400ENH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€57W
阈值电压:4V@300µA
栅极电荷:11.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@100V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@6.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK13A65D(STA4,X,M)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK110E10PL,S1X(S
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK39N60W,S1VF(S
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J351R,LF
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:15.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:134mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N56FE,LM
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK10P60W,RVQ
工作温度:150℃
功率:80W
阈值电压:3.7V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@300V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:430mΩ@4.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K16CT,L3F(T
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH3R203NL,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€44W
阈值电压:2.3V@300µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@15V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@23.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK42A12N1,S4X(S
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPWR6003PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10000pF@15V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:0.6mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH8R903NL,LQ
工作温度:150℃
功率:1.6W€24W
阈值电压:2.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K504NU,LF(T
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K819R,LXHF
工作温度:175℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@100µA
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:25.8mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN13008NH,L1Q
工作温度:150℃
功率:700mW€42W
阈值电压:4V@200µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@40V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:13.3mΩ@9A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: