品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH6443-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@3A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6637
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€57W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.37nF@20V
连续漏极电流：13A€55A
类型：1个P沟道
导通电阻：11.6mΩ@10V，14A
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF4416A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225mW
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4pF@15V
类型：1个N沟道
反向传输电容：0.8pF@15V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：116490}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8657-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@20V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：59mΩ@2A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1538
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6637
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€57W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
输入电容：2370pF@20V
连续漏极电流：13A€55A
类型：P沟道
导通电阻：11.6mΩ@14A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4511SK4-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.54W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@25V
连续漏极电流：5.3A€5A
类型：N和P沟道，共漏
导通电阻：35mΩ@8A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6637
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€57W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.37nF@20V
连续漏极电流：13A€55A
类型：1个P沟道
导通电阻：11.6mΩ@10V，14A
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6637
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€57W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.37nF@20V
连续漏极电流：13A€55A
类型：1个P沟道
导通电阻：11.6mΩ@10V，14A
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF4416A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4pF@15V
类型：1个N沟道
反向传输电容：0.8pF@15V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：87000，"14+"：5980}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8419-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@20V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@5A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8657-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@20V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：59mΩ@2A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4511SK4-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.54W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@25V
连续漏极电流：5.3A€5A
类型：N和P沟道，共漏
导通电阻：35mΩ@8A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8657-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@20V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：59mΩ@2A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6637
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€57W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.37nF@20V
连续漏极电流：13A€55A
类型：1个P沟道
导通电阻：11.6mΩ@10V，14A
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4511SK4-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.54W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@25V
连续漏极电流：5.3A€5A
类型：N和P沟道，共漏
导通电阻：35mΩ@8A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF4416A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4pF@15V
类型：1个N沟道
反向传输电容：0.8pF@15V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4511SK4-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.54W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@25V
连续漏极电流：5.3A€5A
类型：N和P沟道，共漏
导通电阻：35mΩ@8A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：1W（Ta）
阈值电压：2.6V @ 1mA
栅极电荷：4 nC @ 10 V
输入电容：186 pF @ 20 V
连续漏极电流：3A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：104 毫欧 @ 1.5A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4511SK4-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.54W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@25V
连续漏极电流：5.3A€5A
类型：N和P沟道，共漏
导通电阻：35mΩ@8A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6637
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€57W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.37nF@20V
连续漏极电流：13A€55A
类型：1个P沟道
导通电阻：11.6mΩ@10V，14A
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4511SK4-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.54W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@25V
连续漏极电流：5.3A€5A
类型：N和P沟道，共漏
导通电阻：35mΩ@8A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4511SK4-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.54W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@25V
连续漏极电流：5.3A€5A
类型：N和P沟道，共漏
导通电阻：35mΩ@8A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：87000，"14+"：5980}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8419-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@20V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@5A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8657-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@20V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：59mΩ@2A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：116490}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8657-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@20V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：59mΩ@2A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6637
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€57W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.37nF@20V
连续漏极电流：13A€55A
类型：1个P沟道
导通电阻：11.6mΩ@10V，14A
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF4416A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4pF@15V
类型：1个N沟道
反向传输电容：0.8pF@15V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4511SK4-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.54W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@25V
连续漏极电流：5.3A€5A
类型：N和P沟道，共漏
导通电阻：35mΩ@8A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6637
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€57W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
输入电容：2370pF@20V
连续漏极电流：13A€55A
类型：P沟道
导通电阻：11.6mΩ@14A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6637
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€57W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.37nF@20V
连续漏极电流：13A€55A
类型：1个P沟道
导通电阻：11.6mΩ@10V，14A
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
