品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G06N06S
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:2.4V@250μA
栅极电荷:46nC@10V
输入电容:1.6nF@30V
连续漏极电流:8A
类型:1个N沟道
导通电阻:15mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC4435BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€31W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2045pF@15V
连续漏极电流:8.5A€18A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@8.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9409-F085
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3130pF@25V
漏源电压:40V
类型:N沟道
连续漏极电流:90A
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS007N08LC
连续漏极电流:14A€84A
功率:2.5W€92.6W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
阈值电压:2.5V@120µA
导通电阻:6.7mΩ@21A,10V
输入电容:3100pF@40V
栅极电荷:46nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2672
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:3.9A
导通电阻:70mΩ@3.9A,10V
输入电容:2535pF@100V
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF160A60L
导通电阻:160mΩ@12A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:3.6V@250µA
输入电容:2340pF@100V
包装方式:管件
栅极电荷:46nC@10V
连续漏极电流:24A
漏源电压:600V
功率:34.7W
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2672
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:3.9A
导通电阻:70mΩ@3.9A,10V
输入电容:2535pF@100V
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM64P03XTA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
输入电容:825pF@25V
阈值电压:1V@250µA
功率:1.1W
栅极电荷:46nC@10V
导通电阻:75mΩ@2.4A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86200
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9.6A€35A
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2715pF@75V
功率:2.5W€104W
类型:N沟道
漏源电压:150V
导通电阻:18mΩ@9.6A,10V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ050N03MSGATMA1
功率:2.1W€48W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@15V
漏源电压:30V
连续漏极电流:15A€40A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3G110ATTB
输入电容:2750pF@20V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
漏源电压:40V
类型:P沟道
导通电阻:12.4mΩ@11A,10V
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:46nC@10V
连续漏极电流:11A€35A
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL105N8F7AG
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:127W
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:95A
栅极电荷:46nC@10V
导通电阻:6.5mΩ@25A,10V
输入电容:3475pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":752,"22+":1878}
规格型号(MPN):FDD5680
功率:2.8W€60W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:8.5A
导通电阻:21mΩ@8.5A,10V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
ECCN:EAR99
输入电容:1835pF@30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4125
连续漏极电流:17A
输入电容:1200pF@30V
导通电阻:610mΩ@7A,10V
工作温度:150℃
栅极电荷:46nC@10V
功率:2.5W€170W
漏源电压:600V
类型:N沟道
包装方式:托盘
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3G110ATTB
输入电容:2750pF@20V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
漏源电压:40V
类型:P沟道
导通电阻:12.4mΩ@11A,10V
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:46nC@10V
连续漏极电流:11A€35A
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3011SFVWQ-7
功率:980mW
连续漏极电流:19.8A€50A
导通电阻:10mΩ@11.5A,10V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:46nC@10V
类型:1个P沟道
输入电容:2.38nF@15V
阈值电压:3V@250μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB6NK60ZT4
功率:110W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:905pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@3A,10V
栅极电荷:46nC@10V
漏源电压:600V
阈值电压:4.5V@100µA
连续漏极电流:6A
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
生产批次:{"18+":3616,"23+":3200}
规格型号(MPN):IRFZ46ZSTRLPBF
包装方式:卷带(TR)
类型:N-Channel
导通电阻:13.6mΩ@31A,10V
功率:82W
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:1460pF@25V
漏源电压:55V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:51A
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":2723728,"MI+":12000}
规格型号(MPN):FDMA6676PZ
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:13.5mΩ@11A,10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A
功率:2.4W
输入电容:2160pF@15V
类型:P沟道
栅极电荷:46nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:2.6V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STH30N65DM6-7AG
阈值电压:4.75V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@100V
导通电阻:115mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
漏源电压:650V
功率:223W
栅极电荷:46nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):STF24NM60N
连续漏极电流:17A
导通电阻:190mΩ@8A,10V
输入电容:1400pF@50V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
包装方式:管件
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86200
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9.6A€35A
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2715pF@75V
功率:2.5W€104W
类型:N沟道
漏源电压:150V
导通电阻:18mΩ@9.6A,10V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL105N8F7AG
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:127W
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:95A
栅极电荷:46nC@10V
导通电阻:6.5mΩ@25A,10V
输入电容:3475pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS007N08LC
连续漏极电流:14A€84A
功率:2.5W€92.6W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
阈值电压:2.5V@120µA
导通电阻:6.7mΩ@21A,10V
输入电容:3100pF@40V
栅极电荷:46nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"16+":9700,"9999":206,"MI+":1000}
规格型号(MPN):2SK4087LS-1E
输入电容:1200pF@30V
工作温度:150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:9.2A
功率:2W€40W
包装方式:管件
导通电阻:610mΩ@7A,10V
栅极电荷:46nC@10V
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB125N65S3
漏源电压:650V
功率:181W
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:4.5V@590μA
类型:1个N沟道
栅极电荷:46nC@10V
连续漏极电流:24A
导通电阻:125mΩ@12A,10V
输入电容:1.94nF@400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H818NT1G
阈值电压:4V@190µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:20A€123A
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
类型:N沟道
漏源电压:80V
输入电容:3100pF@40V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:46nC@10V
功率:3.8W€136W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y8R7-60EX
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:8.7mΩ@20A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:87A
工作温度:-55℃~175℃
功率:147W
栅极电荷:46nC@10V
阈值电压:4V@1mA
输入电容:3159pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS007N08LC
连续漏极电流:14A€84A
功率:2.5W€92.6W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
阈值电压:2.5V@120µA
导通电阻:6.7mΩ@21A,10V
输入电容:3100pF@40V
栅极电荷:46nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS007N08LC
连续漏极电流:14A€84A
功率:2.5W€92.6W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
阈值电压:2.5V@120µA
导通电阻:6.7mΩ@21A,10V
输入电容:3100pF@40V
栅极电荷:46nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货