品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2N7002AKDCU6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：240mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：220mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.5Ω@220mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2N7002AKDCU6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：240mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：220mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.5Ω@220mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2N7002AKDCU6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：240mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：220mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.5Ω@220mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2N7002AKDCU6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：240mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：220mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.5Ω@220mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2N7002AKDCU6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：240mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：220mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.5Ω@220mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2N7002AKDCU6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：240mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：220mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.5Ω@220mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2N7002AKDCU6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：240mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：220mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.5Ω@220mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2N7002AKDCU6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：240mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：220mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.5Ω@220mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2N7002AKDCU6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：240mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：220mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.5Ω@220mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2N7002AKDCU6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：240mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：220mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.5Ω@220mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2N7002AKDCU6 RFG
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：220mA
工作温度：-55℃~150℃
功率：240mW
阈值电压：2.5V@250µA
类型：2N沟道（双）
漏源电压：60V
导通电阻：2.5Ω@220mA，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D0UT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：240mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：1.54nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@10V
连续漏极电流：0.65A
类型：P-Channel
导通电阻：495mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LTQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：240mW
阈值电压：1.5V@100μA
栅极电荷：550pC@10V
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LTQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：240mW
阈值电压：1.5V@100μA
栅极电荷：550pC@10V
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D0UT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：240mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：1.54nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@10V
连续漏极电流：0.65A
类型：P-Channel
导通电阻：495mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LTQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：240mW
阈值电压：1.5V@100μA
栅极电荷：550pC@10V
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LT-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：240mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：115mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1012CR-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：240mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：2nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：630mA
类型：N沟道
导通电阻：396mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1012CR-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：240mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：630mA
类型：N沟道
导通电阻：396mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LT-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：240mW
阈值电压：1.5V@100µA
栅极电荷：0.55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：115mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1012CR-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：240mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：2nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：630mA
类型：N沟道
导通电阻：396mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LT-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：240mW
阈值电压：1.5V@100µA
栅极电荷：0.55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：115mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1012CR-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：240mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：2nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：630mA
类型：N沟道
导通电阻：396mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1012CR-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：240mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：630mA
类型：N沟道
导通电阻：396mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LT-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：240mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：115mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1012CR-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：240mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：2nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：630mA
类型：N沟道
导通电阻：396mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D0UT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：240mW
阈值电压：700mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.54nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@10V
连续漏极电流：0.65A
类型：P-Channel
导通电阻：495mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1012CR-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：240mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：2nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：630mA
类型：N沟道
导通电阻：396mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LT-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：240mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：115mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1012CR-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：240mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：2nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：630mA
类型：N沟道
导通电阻：396mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
