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    WILLSEMI Mosfet场效应管 WPM3401-3/TR 起订3000个装
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WPM3401-3/TR 起订3000个装

    品牌:WILLSEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):WPM3401-3/TR

    功率:1.3W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:24.8nC@10V

    输入电容:1.25nF@15V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:90pF@15V

    导通电阻:38mΩ@10V,4.3A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月19日前
    - +
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WPM3401-3/TR 起订41个装
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WPM3401-3/TR 起订41个装

    品牌:WILLSEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):WPM3401-3/TR

    功率:1.3W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:24.8nC@10V

    输入电容:1.25nF@15V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:90pF@15V

    导通电阻:38mΩ@10V,4.3A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月19日前
    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G500P03IE 起订63个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G500P03IE 起订63个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G500P03IE

    阈值电压:1.3V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:42mΩ@10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月4日前
    - +
    起购:63
    谷峰 Mosfet场效应管 G500P03IE 起订79个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G500P03IE 起订79个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G500P03IE

    阈值电压:1.3V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:42mΩ@10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月19日前
    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G500P03IE 起订900个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G500P03IE 起订900个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G500P03IE

    阈值电压:1.3V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:42mΩ@10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月19日前
    - +
    LRC Mosfet场效应管 LN2670TZHG 起订16个装
    LRC Mosfet场效应管 LN2670TZHG 起订16个装

    品牌:LRC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):LN2670TZHG

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3.2V@250μA

    栅极电荷:14.6nC@10V

    输入电容:612pF@30V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:34pF@30V

    导通电阻:70mΩ@10V,3A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月19日前
    - +
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WPM3401-3/TR 起订1500个装
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WPM3401-3/TR 起订1500个装

    品牌:WILLSEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):WPM3401-3/TR

    功率:1.3W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:24.8nC@10V

    输入电容:1.25nF@15V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:90pF@15V

    导通电阻:38mΩ@10V,4.3A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月4日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3476DV-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3476DV-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3476DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@40V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:N-Channel

    导通电阻:105mΩ

    漏源电压:3V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月4日前
    - +
    起购:4
    DIODES Mosfet场效应管 DMG9933USD-13 起订14个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG9933USD-13 起订14个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG9933USD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.15W

    阈值电压:1.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:608.4pF@6V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:75mΩ@4.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月4日前
    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A03E6TA 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A03E6TA 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2A03E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:8.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:837pF@10V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:N-Channel

    导通电阻:55mΩ@7.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月4日前
    - +
    起购:6
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ9407EY-T1_BE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ9407EY-T1_BE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ9407EY-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1140pF@30V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月4日前
    - +
    起购:2500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8409DB-T1-E1 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8409DB-T1-E1 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8409DB-T1-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.47W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:46mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月4日前
    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI840GPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI840GPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFI840GPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:67nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:850mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月4日前
    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066LDMQ-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066LDMQ-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2066LDMQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:10.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:820pF@15V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@4.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月4日前
    - +
    起购:3000
    加购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3476DV-T1-GE3 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3476DV-T1-GE3 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3476DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:7.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@40V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:N-Channel

    导通电阻:105mΩ

    漏源电压:3V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月4日前
    - +
    起购:25
    加购:25
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058U-13 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058U-13 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2058U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.13W

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:281pF@10V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:35mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月4日前
    - +
    起购:6
    onsemi Mosfet场效应管 FCD5N60TM-WS 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD5N60TM-WS 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD5N60TM-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:54W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:950mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月4日前
    - +
    起购:2500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4035LQ-13 起订16个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4035LQ-13 起订16个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4035LQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:720mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:12.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:574pF@20V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月4日前
    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4035L-7 起订23个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4035L-7 起订23个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4035L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:720mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:12.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:574pF@20V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月4日前
    - +
    起购:23
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4035LQ-13 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4035LQ-13 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4035LQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:720mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:574pF@20V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月4日前
    - +
    起购:4
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3404L-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3404L-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3404L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:9.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:386pF@15V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:N-Channel

    导通电阻:28mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月4日前
    - +
    起购:3000
    加购:3000
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7205TRPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7205TRPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7205TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:870pF@10V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:P-Channel

    导通电阻:70mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月4日前
    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMG9933USD-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG9933USD-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG9933USD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.15W

    阈值电压:1.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:608.4pF@6V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:75mΩ@4.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月4日前
    - +
    起购:500
    加购:5
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7205TRPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7205TRPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7205TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:870pF@10V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月4日前
    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4035LQ-7 起订15个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4035LQ-7 起订15个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4035LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:720mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:12.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:574pF@20V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:N-Channel

    导通电阻:42mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月4日前
    - +
    起购:15
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2053UVT-7 起订25个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2053UVT-7 起订25个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2053UVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:369pF@10V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:35mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月4日前
    - +
    起购:25
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058U-7 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058U-7 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2058U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.13W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:7.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:281pF@10V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:N-Channel

    导通电阻:35mΩ@6A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月4日前
    - +
    起购:1500
    onsemi Mosfet场效应管 FCD5N60TM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD5N60TM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD5N60TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:54W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:950mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月4日前
    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066LSN-7 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066LSN-7 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2066LSN-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:10.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:820pF@15V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@4.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月4日前
    - +
    起购:1500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4035L-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4035L-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4035L-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:720mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:12.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:574pF@20V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月4日前
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    起购:2500
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