品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT080N10D5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：100W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：3.65nF@50V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
反向传输电容：22pF@50V
导通电阻：6mΩ@10V，50A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM070NH04LCV RGG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：2.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.376nF@25V
连续漏极电流：54A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM070NH04LCV RGG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：2.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.376nF@25V
连续漏极电流：54A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM070NH04LCV RGG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：2.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.376nF@25V
连续漏极电流：54A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM070NH04LCV RGG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：2.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.376nF@25V
连续漏极电流：54A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRD15N10
功率：39W
阈值电压：2.2V@250μA
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：L2N7002M3T5G
功率：0.115W
类型：N-Channel
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT080N10D5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：100W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：3.65nF@50V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
反向传输电容：22pF@50V
导通电阻：6mΩ@10V，50A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRD15N10
功率：39W
阈值电压：2.2V@250μA
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRD15N10
功率：39W
阈值电压：2.2V@250μA
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT080N10D5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：100W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：3.65nF@50V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
反向传输电容：22pF@50V
导通电阻：6mΩ@10V，50A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT3390J
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：81.3nC@10V
输入电容：4.222nF@15V
连续漏极电流：30A
类型：1个P沟道
反向传输电容：448.6pF@15V
导通电阻：7.4mΩ@10V，15A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM070NH04LCV RGG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：2.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.376nF@25V
连续漏极电流：54A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G36N03K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：31W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：14nC@10V
输入电容：1.04nF@15V
连续漏极电流：36A
类型：1个N沟道
反向传输电容：136pF@15V
导通电阻：7mΩ@10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM070NH04LCV RGG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：2.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.376nF@25V
连续漏极电流：54A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM070NH04LCV RGG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：2.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.376nF@25V
连续漏极电流：54A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM070NH04LCV RGG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：2.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.376nF@25V
连续漏极电流：54A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM070NH04LCV RGG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：2.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.376nF@25V
连续漏极电流：54A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM070NH04LCV RGG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：2.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.376nF@25V
连续漏极电流：54A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRD15N10
功率：39W
阈值电压：2.2V@250μA
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：L2SK801LT1G
功率：300mW
阈值电压：2.2V@250μA
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：L2N7002M3T5G
功率：0.115W
类型：N-Channel
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G1006LE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：18.2nC@10V
输入电容：622pF@50V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：143mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G1006LE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：18.2nC@10V
输入电容：622pF@50V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：143mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HL2306
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：7.2nC@10V
输入电容：363pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：39pF@15V
导通电阻：29.5mΩ@10V，3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT3390J
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：81.3nC@10V
输入电容：4.222nF@15V
连续漏极电流：30A
类型：1个P沟道
反向传输电容：448.6pF@15V
导通电阻：7.4mΩ@10V，15A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS05DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4930pF@15V
连续漏极电流：29.4A€108A
类型：P沟道
导通电阻：3.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G60N04
功率：65W
阈值电压：2.2V@250μA
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10V，10A
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT080N10D5
栅极电荷：70nC@10V
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@10V，50A
连续漏极电流：75A
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2.2V@250μA
功率：100W
输入电容：3.65nF@50V
反向传输电容：22pF@50V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT080N10D5
栅极电荷：70nC@10V
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@10V，50A
连续漏极电流：75A
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2.2V@250μA
功率：100W
输入电容：3.65nF@50V
反向传输电容：22pF@50V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
