品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0853DPB-00#J5
工作温度：150℃
功率：65W
栅极电荷：40nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6170pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL150N3LLH6
工作温度：-55℃~150℃
功率：80W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：40nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4040pF@25V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@16.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：150，"10+"：39754，"11+"：3975}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4804N-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.43W€107W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：4490pF@12V
连续漏极电流：14.5A€124A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL150N3LLH5
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：40nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5800pF@25V
连续漏极电流：195A
类型：N沟道
导通电阻：1.75mΩ@17.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：2050，"19+"：18900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4804NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.43W€107W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4490pF@12V
连续漏极电流：14.5A€124A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4804NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.43W€107W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：40nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4490pF@12V
连续漏极电流：14.5A€124A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB08R4VPX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W€12.5W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：40nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.2nF@6V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：9.6mΩ@12A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8424CDB-T1-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W€2.7W
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：40nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2340pF@4V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8424CDB-T1-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W€2.7W
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：40nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2340pF@4V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8424CDB-T1-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W€2.7W
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：40nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2340pF@4V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7892BDP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3775pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8424CDB-T1-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W€2.7W
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：40nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2340pF@4V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8424CDB-T1-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W€2.7W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2340pF@4V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7892BDP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：40nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3775pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0853DPB-00#J5
工作温度：150℃
功率：65W
栅极电荷：40nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6170pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB08R4VPX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W€12.5W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.2nF@6V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：9.6mΩ@12A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8424CDB-T1-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W€2.7W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2340pF@4V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RAQ045P01TCR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：40nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@6V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7892BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3775pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RAQ045P01TCR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：40nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@6V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：2520，"07+"：216000，"08+"：316500，"09+"：1450，"10+"：192000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4121NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@24V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：5.25mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8424CDB-T1-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W€2.7W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2340pF@4V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8424CDB-T1-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W€2.7W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2340pF@4V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB08R4VPX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W€12.5W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.2nF@6V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：9.6mΩ@12A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8424CDB-T1-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W€2.7W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2340pF@4V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0853DPB-00#J5
工作温度：150℃
功率：65W
栅极电荷：40nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6170pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7892BDP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3775pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL150N3LLH6
工作温度：-55℃~150℃
功率：80W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：40nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4040pF@25V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@16.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7892BDP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：40nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3775pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB08R4VPX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W€12.5W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：40nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.2nF@6V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：9.6mΩ@12A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
