品牌:SMC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):S2M0025120D
工作温度:-55℃~175℃
功率:446W
阈值电压:4V@15mA
栅极电荷:130nC@20V
包装方式:管件
输入电容:4402pF@1000V
连续漏极电流:63A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@50A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SMC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):S2M0040120D
包装方式:管件
类型:N沟道
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SMC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):S2M0080120D
工作温度:-55℃~175℃
功率:231W
阈值电压:4V@10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1324pF@1000V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@20A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SMC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):S2M0080120D
工作温度:-55℃~175℃
功率:231W
阈值电压:4V@10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1324pF@1000V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@20A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SMC
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
类型:1个N沟道
漏源电压:1.2kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SMC
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:231W
阈值电压:4V@10mA
栅极电荷:54nC@20V
输入电容:1.324nF@1000V
连续漏极电流:41A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@20A,20V
漏源电压:1.2kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SMC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):S2M0040120K
ECCN:EAR99
包装方式:管件
类型:N沟道
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SMC
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:231W
阈值电压:4V@10mA
栅极电荷:54nC@20V
输入电容:1.324nF@1000V
连续漏极电流:41A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@20A,20V
漏源电压:1.2kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SMC
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:231W
阈值电压:4V@10mA
栅极电荷:54nC@20V
输入电容:1.324nF@1000V
连续漏极电流:41A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@20A,20V
漏源电压:1.2kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SMC
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
类型:1个N沟道
漏源电压:1.2kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SMC
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:231W
阈值电压:4V@10mA
栅极电荷:54nC@20V
输入电容:1.324nF@1000V
连续漏极电流:41A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@20A,20V
漏源电压:1.2kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SMC
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:446W
阈值电压:4V@15mA
栅极电荷:130nC@20V
输入电容:4.402nF@1000V
连续漏极电流:63A
类型:1个N沟道
导通电阻:34mΩ@50A,20V
漏源电压:1.2kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SMC
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:231W
阈值电压:4V@10mA
栅极电荷:54nC@20V
输入电容:1.324nF@1000V
连续漏极电流:41A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@20A,20V
漏源电压:1.2kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SMC
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:446W
阈值电压:4V@15mA
栅极电荷:130nC@20V
输入电容:4.402nF@1000V
连续漏极电流:63A
类型:1个N沟道
导通电阻:34mΩ@50A,20V
漏源电压:1.2kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SMC
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
类型:1个N沟道
漏源电压:1.2kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SMC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):S2M0025120K
工作温度:-55℃~175℃
功率:446W
阈值电压:4V@15mA
栅极电荷:130nC@20V
包装方式:管件
输入电容:4402pF@1000V
连续漏极电流:63A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@50A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SMC
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
导通电阻:34mΩ@50A,20V
栅极电荷:130nC@20V
功率:446W
类型:1个N沟道
工作温度:-55℃~+175℃
连续漏极电流:63A
漏源电压:1.2kV
阈值电压:4V@15mA
输入电容:4.402nF@1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SMC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):S2M0025120K
工作温度:-55℃~175℃
功率:446W
阈值电压:4V@15mA
栅极电荷:130nC@20V
包装方式:管件
输入电容:4402pF@1000V
连续漏极电流:63A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@50A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SMC
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
类型:1个N沟道
工作温度:-55℃~+175℃
功率:231W
输入电容:1.324nF@1000V
漏源电压:1.2kV
连续漏极电流:41A
栅极电荷:54nC@20V
导通电阻:100mΩ@20A,20V
阈值电压:4V@10mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SMC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):S2M0080120D
工作温度:-55℃~175℃
功率:231W
阈值电压:4V@10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1324pF@1000V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@20A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SMC
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SMC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):S2M0080120D
工作温度:-55℃~+175℃
功率:231W
阈值电压:4V@10mA
栅极电荷:54nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1.324nF@1000V
连续漏极电流:41A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@20A,20V
漏源电压:1.2kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SMC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):25psc
规格型号(MPN):S2M0080120D
类型:1个N沟道
功率:231W
输入电容:1.324nF@1000V
包装方式:管件
工作温度:-55℃~+175℃
漏源电压:1.2kV
连续漏极电流:41A
栅极电荷:54nC@20V
导通电阻:100mΩ@20A,20V
阈值电压:4V@10mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SMC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):S2M0040120K
包装方式:管件
类型:1个N沟道
漏源电压:1.2kV
包装清单:商品主体 * 1
库存: