品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LDN2367T1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：12nC@4.5V
输入电容：900pF@10V
连续漏极电流：6.3A
类型：2个N沟道
反向传输电容：100pF@10V
导通电阻：16mΩ@4.5V，4.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LDN2367T1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：12nC@4.5V
输入电容：900pF@10V
连续漏极电流：6.3A
类型：2个N沟道
反向传输电容：100pF@10V
导通电阻：16mΩ@4.5V，4.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LDN2367T1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：12nC@4.5V
输入电容：900pF@10V
连续漏极电流：6.3A
类型：2个N沟道
反向传输电容：100pF@10V
导通电阻：16mΩ@4.5V，4.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC655BN
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML6244TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.1V@10µA
栅极电荷：8.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@16V
连续漏极电流：6.3A
类型：N-Channel
导通电阻：21mΩ@6.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4034SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：453pF@20V
连续漏极电流：6.3A
类型：N-Channel
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3456DDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€2.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4943BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：19mΩ@8.4A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA50R380CEXKSA2
工作温度：-40℃~150℃
功率：29.2W
阈值电压：3.5V@260µA
栅极电荷：24.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：584pF@100V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@3.2A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC655BN
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：570pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC655BN
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC655BN
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：570pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：0609
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT439N
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@6.3A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4034SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：453pF@20V
连续漏极电流：6.3A
类型：N-Channel
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC655BN
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：570pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB8N90CTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：171W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2080pF@25V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.9Ω@3.15A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3456DDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€2.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：08+
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT439N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV20XNEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW€6.94W
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@6.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：15+
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT439N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIB456DK-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€13W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@50V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：185mΩ@1.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：08+
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT439N
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@6.3A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT439N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIB456DK-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€13W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@50V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：185mΩ@1.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3456DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€2.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8424CDB-T1-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W€2.7W
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：40nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2340pF@4V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3456DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€2.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8424CDB-T1-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W€2.7W
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：40nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2340pF@4V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA50R380CEXKSA2
工作温度：-40℃~150℃
功率：29.2W
阈值电压：3.5V@260µA
栅极电荷：24.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：584pF@100V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@3.2A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC655BN
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：570pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
