品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2324
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2324
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2324
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2324
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2324
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2324
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2324
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD4N90K5
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：900V
输入电容：173pF@100V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：2.1Ω@1A，10V
类型：N沟道
功率：60W
连续漏极电流：3A
阈值电压：5V@100µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J402TU，LF
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：117mΩ@1A，10V
工作温度：150℃
阈值电压：2.6V@1mA
连续漏极电流：2A
功率：500mW
类型：P沟道
ECCN：EAR99
输入电容：280pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2308CES-T1_BE3
栅极电荷：5.3nC@10V
导通电阻：150mΩ@2.3A，10V
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：2.3A
输入电容：205pF@30V
ECCN：EAR99
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J402TU，LF
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：117mΩ@1A，10V
工作温度：150℃
阈值电压：2.6V@1mA
连续漏极电流：2A
功率：500mW
类型：P沟道
ECCN：EAR99
输入电容：280pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2308CES-T1_BE3
栅极电荷：5.3nC@10V
导通电阻：150mΩ@2.3A，10V
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：2.3A
输入电容：205pF@30V
ECCN：EAR99
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2308CES-T1_BE3
栅极电荷：5.3nC@10V
导通电阻：150mΩ@2.3A，10V
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：2.3A
输入电容：205pF@30V
ECCN：EAR99
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2308CES-T1_GE3
栅极电荷：5.3nC@10V
导通电阻：150mΩ@2.3A，10V
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：2.3A
输入电容：205pF@30V
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2308CES-T1_GE3
栅极电荷：5.3nC@10V
导通电阻：150mΩ@2.3A，10V
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：2.3A
输入电容：205pF@30V
ECCN：EAR99
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2324
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
类型：N沟道
功率：1.2W
连续漏极电流：2A
输入电容：330pF@50V
导通电阻：280mΩ@2A，10V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：2301
规格型号(MPN)：SQ2308CES-T1_GE3
栅极电荷：5.3nC@10V
导通电阻：150mΩ@2.3A，10V
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：2.3A
输入电容：205pF@30V
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2308CES-T1_GE3
栅极电荷：5.3nC@10V
导通电阻：150mΩ@2.3A，10V
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：2.3A
输入电容：205pF@30V
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2308CES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：205pF@30V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@2.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD4N90K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：173pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2.1Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2308CES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：205pF@30V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@2.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD4N90K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：173pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2.1Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF4N90K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：173pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2.1Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J402TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：117mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2308CES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：205pF@30V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@2.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2308CES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：205pF@30V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@2.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2308CES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：205pF@30V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@2.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2308CES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：205pF@30V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@2.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2308CES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：205pF@30V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@2.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2308CES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：205pF@30V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@2.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
