品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7416TRPBF-ES
功率：3.1W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：26.4nC
输入电容：1.23nF
连续漏极电流：10.5A
类型：1个P沟道
反向传输电容：145pF
导通电阻：13.5mΩ@10V，10A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4435BZ-ES
功率：3.1W
阈值电压：1.5V
栅极电荷：26.4nC
输入电容：1.23nF
连续漏极电流：10.5A
类型：1个P沟道
反向传输电容：145pF
导通电阻：13.5mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DY-ES
连续漏极电流：10.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：13.5mΩ@10V，10A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4435-ES
功率：3.1W
阈值电压：1.5V
栅极电荷：26.4nC
输入电容：1.23nF
连续漏极电流：10.5A
类型：1个P沟道
反向传输电容：145pF
导通电阻：13.5mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4435BZ-ES
功率：3.1W
阈值电压：1.5V
栅极电荷：26.4nC
输入电容：1.23nF
连续漏极电流：10.5A
类型：1个P沟道
反向传输电容：145pF
导通电阻：13.5mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4435A-ES
连续漏极电流：10.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：13.5mΩ@10V，10A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DY-ES
连续漏极电流：10.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：13.5mΩ@10V，10A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4435
功率：3.1W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：26.4nC
输入电容：1.23nF
连续漏极电流：10.5A
类型：1个P沟道
反向传输电容：145pF
导通电阻：13mΩ@10V，10.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4051LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.14W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：674pF@20V
连续漏极电流：10.5A
类型：P-Channel
导通电阻：51mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD12N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：886pF@100V
连续漏极电流：10.5A
类型：N-Channel
导通电阻：380mΩ
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4413ADY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：95nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10.5A
类型：P沟道
导通电阻：7.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2015UFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：45.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1779pF@10V
连续漏极电流：10.5A
类型：N-Channel
导通电阻：11.6mΩ@8.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG7430LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1281pF@15V
连续漏极电流：10.5A
类型：N-Channel
导通电阻：11mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4413ADY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：95nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10.5A
类型：P沟道
导通电阻：7.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB12NK80ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2620pF@25V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5.25A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG7430LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：26.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1281pF@15V
连续漏极电流：10.5A
类型：N-Channel
导通电阻：11mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP11N40C
工作温度：-55℃~150℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1090pF@25V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：530mΩ@5.25A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
生产批次：08+
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4468
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10.5A
类型：N-Channel
导通电阻：17mΩ@10.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4468
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10.5A
类型：N-Channel
导通电阻：17mΩ@10.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG7430LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：26.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1281pF@15V
连续漏极电流：10.5A
类型：N-Channel
导通电阻：11mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
生产批次：08+
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4468
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10.5A
类型：N-Channel
导通电阻：17mΩ@10.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2015UFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：45.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1779pF@10V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@8.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON3414
功率：3.1W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10.5A
类型：N-Channel
导通电阻：17mΩ@10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4468
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@11.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：3601，"19+"：8100}
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPAW70R600CEXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：86W
阈值电压：3.5V@210µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：474pF@100V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB12NK80ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2620pF@25V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5.25A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7116DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@16.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8KC7TB1
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：1.4nF@30V
连续漏极电流：10.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：12.4mΩ@10.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG7430LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：26.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1281pF@15V
连续漏极电流：10.5A
类型：N-Channel
导通电阻：11mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8KC7TB1
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：1.4nF@30V
连续漏极电流：10.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：12.4mΩ@10.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
