栅极电荷
    行业应用
    反向传输电容
    栅极电荷: 25nC@10V
    当前匹配商品:1500+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK290P60Y,RQ 起订2个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK290P60Y,RQ 起订2个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK290P60Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:100W

    阈值电压:4V@450µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:730pF@300V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月6日前
    - +
    起购:2
    谷峰 Mosfet场效应管 G23N06K
    谷峰 Mosfet场效应管 G23N06K

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G23N06K

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@15V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月6日前
    - +
    起购:3
    AOS Mosfet场效应管 AON7264E 起订13个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7264E 起订13个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7264E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.5W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@30V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月6日前
    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 20N06
    谷峰 Mosfet场效应管 20N06

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):20N06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:41W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1609pF@30V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月6日前
    - +
    起购:12
    UMW Mosfet场效应管 30N06 起订500个装
    UMW Mosfet场效应管 30N06 起订500个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):30N06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1562pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月6日前
    - +
    起购:500
    谷峰 Mosfet场效应管 G23N06K 起订1000个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G23N06K 起订1000个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G23N06K

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@15V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月6日前
    - +
    起购:1000
    UMW Mosfet场效应管 30N06 起订10个装
    UMW Mosfet场效应管 30N06 起订10个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):30N06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1562pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月6日前
    - +
    起购:10
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK290P65Y,RQ 起订10个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK290P65Y,RQ 起订10个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK290P65Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:100W

    阈值电压:4V@450µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:730pF@300V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月6日前
    - +
    起购:10
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK290P60Y,RQ 起订10个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK290P60Y,RQ 起订10个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK290P60Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:100W

    阈值电压:4V@450µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:730pF@300V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月6日前
    - +
    起购:10
    谷峰 Mosfet场效应管 20N06 起订15个装
    谷峰 Mosfet场效应管 20N06 起订15个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):20N06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:41W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1609pF@30V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月6日前
    - +
    起购:15
    UMW Mosfet场效应管 30N06 起订35个装
    UMW Mosfet场效应管 30N06 起订35个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):30N06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1562pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月6日前
    - +
    起购:35
    谷峰 Mosfet场效应管 20N06 起订500个装
    谷峰 Mosfet场效应管 20N06 起订500个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):20N06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:41W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1609pF@30V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月6日前
    - +
    起购:500
    UMW Mosfet场效应管 30N06 起订500个装
    UMW Mosfet场效应管 30N06 起订500个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):30N06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1562pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月6日前
    - +
    起购:500
    UMW Mosfet场效应管 30N06 起订1000个装
    UMW Mosfet场效应管 30N06 起订1000个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):30N06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1562pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月21日前
    - +
    起购:1000
    UMW Mosfet场效应管 30N06 起订100个装
    UMW Mosfet场效应管 30N06 起订100个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):30N06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1562pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月21日前
    - +
    起购:100
    UMW Mosfet场效应管 30N06 起订10个装
    UMW Mosfet场效应管 30N06 起订10个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):30N06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1562pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月21日前
    - +
    起购:10
    MINOS Mosfet场效应管 MDT15P04D 起订52个装
    MINOS Mosfet场效应管 MDT15P04D 起订52个装

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MDT15P04D

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:50W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:25nC@10V

    输入电容:930pF@20V

    连续漏极电流:15A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:35pF@20V

    导通电阻:29mΩ@10V,7.5A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月21日前
    - +
    起购:52
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4N90CZ C0G 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4N90CZ C0G 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4N90CZ C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38.7W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:955pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@2A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月21日前
    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4N90CZ C0G 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4N90CZ C0G 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4N90CZ C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38.7W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:955pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@2A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月6日前
    - +
    起购:500
    UMW Mosfet场效应管 STD30NF06L 起订100个装
    UMW Mosfet场效应管 STD30NF06L 起订100个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD30NF06L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:25nC@10V

    输入电容:1.562nF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:29mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月6日前
    - +
    起购:100
    UMW Mosfet场效应管 STD20NF06L 起订13个装
    UMW Mosfet场效应管 STD20NF06L 起订13个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD20NF06L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1562pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月6日前
    - +
    起购:13
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK290P65Y,RQ
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK290P65Y,RQ

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK290P65Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:100W

    阈值电压:4V@450µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:730pF@300V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月6日前
    - +
    起购:2000
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK290P60Y,RQ
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK290P60Y,RQ

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK290P60Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:100W

    阈值电压:4V@450µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:730pF@300V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月6日前
    - +
    起购:2
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK290P60Y,RQ
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK290P60Y,RQ

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK290P60Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:100W

    阈值电压:4V@450µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:730pF@300V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月6日前
    - +
    起购:2000
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK290P65Y,RQ
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK290P65Y,RQ

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK290P65Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:100W

    阈值电压:4V@450µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:730pF@300V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月6日前
    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK290P65Y,RQ 起订1个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK290P65Y,RQ 起订1个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK290P65Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:100W

    阈值电压:4V@450µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:730pF@300V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月6日前
    - +
    UMW Mosfet场效应管 30N06
    UMW Mosfet场效应管 30N06

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):30N06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1562pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月6日前
    - +
    起购:23
    谷峰 Mosfet场效应管 G23N06K
    谷峰 Mosfet场效应管 G23N06K

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G23N06K

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@15V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月6日前
    - +
    起购:15
    谷峰 Mosfet场效应管 G23N06K
    谷峰 Mosfet场效应管 G23N06K

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G23N06K

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@15V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月6日前
    - +
    起购:3
    UMW Mosfet场效应管 STD30NF06L
    UMW Mosfet场效应管 STD30NF06L

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD30NF06L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:25nC@10V

    输入电容:1.562nF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:29mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月6日前
    - +
    起购:13
    正在加载中,请稍后~~
    <上一页1234567...下一页>27页  到第确定
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧