品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G07P04S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@20V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT110N06D3
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1059pF@30V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT110N06D5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：69W
阈值电压：1.7V
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：45A
类型：1个N沟道
反向传输电容：54pF@25V
导通电阻：9.5mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT110N06D3
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1059pF@30V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT110N06D3
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1059pF@30V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM070NH04LCV RGG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：2.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.376nF@25V
连续漏极电流：54A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT110N06D3
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1059pF@30V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3415AE-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：907pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@4.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT110N06D3
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1059pF@30V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G07P04S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@20V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT110N06D5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：69W
阈值电压：1.7V
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：45A
类型：1个N沟道
反向传输电容：54pF@25V
导通电阻：9.5mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3415AE-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：907pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@4.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT110N06D5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：69W
阈值电压：1.7V
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：45A
类型：1个N沟道
反向传输电容：54pF@25V
导通电阻：9.5mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT110N06D3
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1059pF@30V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT110N06D5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：69W
阈值电压：1.7V
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：45A
类型：1个N沟道
反向传输电容：54pF@25V
导通电阻：9.5mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM070NH04LCV RGG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：2.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.376nF@25V
连续漏极电流：54A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM070NH04LCV RGG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：2.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.376nF@25V
连续漏极电流：54A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM070NH04LCV RGG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：2.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.376nF@25V
连续漏极电流：54A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT090N06S
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1378pF@30V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3415AE-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：907pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@4.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT088N06T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：75W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：24nC@10V
输入电容：1.62nF@30V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT088N06T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：75W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：24nC@10V
输入电容：1.62nF@30V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3415AE-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：907pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@4.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3415AE-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：907pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@4.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT110N06D5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：69W
阈值电压：1.7V
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：45A
类型：1个N沟道
反向传输电容：54pF@25V
导通电阻：9.5mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT110N06D3
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1059pF@30V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT090N06S
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1378pF@30V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3415AE-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：907pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@4.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM070NH04LCV RGG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：2.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.376nF@25V
连续漏极电流：54A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT110N06S
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：24nC@10V
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：14A
类型：1个N沟道
反向传输电容：54pF@25V
导通电阻：8.5mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
