品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K72KFS，LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K72KFS，LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K72KFS，LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K72KFS，LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K72KFS，LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K72KFS，LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K72KFS，LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K72KFS，LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K72KFS，LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K72KFS，LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K72KFS，LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K72KFS，LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K72KFS，LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K-T1-GE3
功率：350mW
连续漏极电流：300mA
导通电阻：2Ω@500mA，10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：0.6nC@4.5V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
漏源电压：60V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K-T1-E3
功率：350mW
连续漏极电流：300mA
导通电阻：2Ω@500mA，10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：0.6nC@4.5V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1022R-T1-GE3
导通电阻：1.25Ω@500mA，10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：0.6nC@4.5V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
漏源电压：60V
功率：250mW
连续漏极电流：330mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4S-13
导通电阻：2.4Ω@300mA，10V
连续漏极电流：300mA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
功率：370mW
类型：P沟道
输入电容：51.16pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002BKVL
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
栅极电荷：0.6nC@4.5V
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：2.1V@250µA
功率：370mW
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：350mA
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002BK，215
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
栅极电荷：0.6nC@4.5V
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：2.1V@250µA
功率：370mW
输入电容：50pF@10V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：350mA
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K-T1-E3
功率：350mW
连续漏极电流：300mA
导通电阻：2Ω@500mA，10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：0.6nC@4.5V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1330EDL-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：2.5Ω@250mA，10V
功率：280mW
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：240mA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN53D0LQ-13
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
漏源电压：50V
类型：N沟道
输入电容：46pF@25V
功率：370mW
阈值电压：1.5V@250µA
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002BK，215
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
栅极电荷：0.6nC@4.5V
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：2.1V@250µA
功率：370mW
输入电容：50pF@10V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：350mA
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN53D0U-7
连续漏极电流：300mA
功率：520mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：0.6nC@4.5V
漏源电压：50V
类型：N沟道
输入电容：37.1pF@25V
导通电阻：2Ω@50mA，5V
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1330EDL-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：2.5Ω@250mA，10V
功率：280mW
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：240mA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002BKVL
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
栅极电荷：0.6nC@4.5V
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：2.1V@250µA
功率：370mW
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：350mA
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002BK，215
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
栅极电荷：0.6nC@4.5V
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：2.1V@250µA
功率：370mW
输入电容：50pF@10V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：350mA
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN53D0L-7
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
漏源电压：50V
类型：N沟道
输入电容：46pF@25V
功率：370mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K72KFS，LF
连续漏极电流：300mA
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
栅极电荷：0.6nC@4.5V
输入电容：40pF@10V
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
导通电阻：1.5Ω@100mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K72KCT，L3F
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：0.6nC@4.5V
输入电容：40pF@10V
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：2.1V@250µA
连续漏极电流：400mA
功率：500mW
ECCN：EAR99
导通电阻：1.5Ω@100mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
