品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G3404B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:526pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:69pF@15V
导通电阻:18mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G7P03S
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.7W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:24.5nC@10V
输入电容:1.253nF@15V
连续漏极电流:9A
类型:1个P沟道
反向传输电容:158pF@15V
导通电阻:16mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G1002L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:10nC@10V
输入电容:413pF@50V
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G3404B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:526pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:69pF@15V
导通电阻:18mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G3404B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:526pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:69pF@15V
导通电阻:18mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G3404B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:526pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:69pF@15V
导通电阻:18mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G1002L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:10nC@10V
输入电容:413pF@50V
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G3035L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:12.5nC@10V
输入电容:650pF@15V
连续漏极电流:4.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:48mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G3404B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:12.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:526pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:69pF@15V
导通电阻:18mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2K3N10G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
输入电容:436nF@50V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个N沟道
反向传输电容:9nF@50V
导通电阻:180mΩ@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT4025G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:35W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:22.9nC@10V
输入电容:964pF@20V
连续漏极电流:15A€28A
类型:1个N沟道+1个P沟道
反向传输电容:96pF@20V
导通电阻:17mΩ@10V,15A€29mΩ@10V,7A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225mW
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:1.77nC@10V
输入电容:43pF@30V
连续漏极电流:170mA
类型:1个P沟道
反向传输电容:2.8pF@30V
导通电阻:8Ω@10V,0.17A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT4025G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:35W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:22.9nC@10V
输入电容:964pF@20V
连续漏极电流:15A€28A
类型:1个N沟道+1个P沟道
反向传输电容:96pF@20V
导通电阻:17mΩ@10V,15A€29mΩ@10V,7A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2301H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:12nC@2.5V
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:1个P沟道
导通电阻:130mΩ@4.5V,2A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL640A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:110W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1.705nF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:180mΩ@5V,9A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48.1W€3.8W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:22.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.03nF@15V
连续漏极电流:28.1A€100A
类型:2个N沟道
导通电阻:3.2mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3032LFDBWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:820mW
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:10.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:30mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD13N10LTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€40W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:12nC@5V
输入电容:520pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:180mΩ@10V,5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G3404B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:526pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:69pF@15V
导通电阻:18mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD7N25LZTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:56W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:635pF@25V
连续漏极电流:6.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@3.1A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48.1W€3.8W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.03nF@15V
连续漏极电流:28.1A€100A
类型:2个N沟道
导通电阻:3.2mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD13N10LTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€40W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:12nC@5V
输入电容:520pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:180mΩ@10V,5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC653N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD7N25LZTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:56W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:635pF@25V
连续漏极电流:6.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@3.1A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD13N10LTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€40W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:12nC@5V
输入电容:520pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:180mΩ@10V,5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD13N10LTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€40W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:12nC@5V
输入电容:520pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:180mΩ@10V,5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48.1W€3.8W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.03nF@15V
连续漏极电流:28.1A€100A
类型:2个N沟道
导通电阻:3.2mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G03N10
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:15.5nC@10V
输入电容:690pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:1个N沟道
反向传输电容:90pF@25V
导通电阻:140mΩ@10V,5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48.1W€3.8W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.03nF@15V
连续漏极电流:28.1A€100A
类型:2个N沟道
导通电阻:3.2mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD7N25LZTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:56W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:635pF@25V
连续漏极电流:6.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@3.1A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存: