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    谷峰 Mosfet场效应管 G3404B
    谷峰 Mosfet场效应管 G3404B

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3404B

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:526pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:69pF@15V

    导通电阻:18mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    谷峰 Mosfet场效应管 G7P03S
    谷峰 Mosfet场效应管 G7P03S

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G7P03S

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:24.5nC@10V

    输入电容:1.253nF@15V

    连续漏极电流:9A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:158pF@15V

    导通电阻:16mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:33
    谷峰 Mosfet场效应管 G1002L
    谷峰 Mosfet场效应管 G1002L

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G1002L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:10nC@10V

    输入电容:413pF@50V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:190mΩ

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:92
    谷峰 Mosfet场效应管 G3404B
    谷峰 Mosfet场效应管 G3404B

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3404B

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:526pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:69pF@15V

    导通电阻:18mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    谷峰 Mosfet场效应管 G3404B
    谷峰 Mosfet场效应管 G3404B

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3404B

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:526pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:69pF@15V

    导通电阻:18mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    谷峰 Mosfet场效应管 G3404B
    谷峰 Mosfet场效应管 G3404B

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3404B

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:526pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:69pF@15V

    导通电阻:18mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    谷峰 Mosfet场效应管 G1002L
    谷峰 Mosfet场效应管 G1002L

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G1002L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:10nC@10V

    输入电容:413pF@50V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:190mΩ

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:96
    谷峰 Mosfet场效应管 G3035L
    谷峰 Mosfet场效应管 G3035L

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3035L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:12.5nC@10V

    输入电容:650pF@15V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:48mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:900
    谷峰 Mosfet场效应管 G3404B
    谷峰 Mosfet场效应管 G3404B

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3404B

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:12.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:526pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:69pF@15V

    导通电阻:18mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:106
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10G
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10G

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2K3N10G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:13nC@10V

    输入电容:436nF@50V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:9nF@50V

    导通电阻:180mΩ@10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:61
    MOT Mosfet场效应管 MOT4025G
    MOT Mosfet场效应管 MOT4025G

    品牌:MOT

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MOT4025G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:35W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:22.9nC@10V

    输入电容:964pF@20V

    连续漏极电流:15A€28A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    反向传输电容:96pF@20V

    导通电阻:17mΩ@10V,15A€29mΩ@10V,7A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    宏迦橙 Mosfet场效应管 BSS84
    宏迦橙 Mosfet场效应管 BSS84

    品牌:宏迦橙

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS84

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:225mW

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:1.77nC@10V

    输入电容:43pF@30V

    连续漏极电流:170mA

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:2.8pF@30V

    导通电阻:8Ω@10V,0.17A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:480
    MOT Mosfet场效应管 MOT4025G
    MOT Mosfet场效应管 MOT4025G

    品牌:MOT

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MOT4025G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:35W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:22.9nC@10V

    输入电容:964pF@20V

    连续漏极电流:15A€28A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    反向传输电容:96pF@20V

    导通电阻:17mΩ@10V,15A€29mΩ@10V,7A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:16
    谷峰 Mosfet场效应管 2301H
    谷峰 Mosfet场效应管 2301H

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2301H

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:12nC@2.5V

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:130mΩ@4.5V,2A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:111
    onsemi Mosfet场效应管 IRL640A
    onsemi Mosfet场效应管 IRL640A

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRL640A

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:110W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:1.705nF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:180mΩ@5V,9A

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:48.1W€3.8W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:22.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.03nF@15V

    连续漏极电流:28.1A€100A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LFDBWQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LFDBWQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3032LFDBWQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:820mW

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:10.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:30mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N10LTM
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N10LTM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD13N10LTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€40W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:12nC@5V

    输入电容:520pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:180mΩ@10V,5A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    加购:2500
    谷峰 Mosfet场效应管 G3404B
    谷峰 Mosfet场效应管 G3404B

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3404B

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:526pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:69pF@15V

    导通电阻:18mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:21000
    onsemi Mosfet场效应管 FDD7N25LZTM
    onsemi Mosfet场效应管 FDD7N25LZTM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD7N25LZTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:56W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@25V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:550mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:48.1W€3.8W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.03nF@15V

    连续漏极电流:28.1A€100A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N10LTM
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N10LTM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD13N10LTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€40W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:12nC@5V

    输入电容:520pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:180mΩ@10V,5A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDC653N 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC653N 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC653N

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:35mΩ@10V,5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDD7N25LZTM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD7N25LZTM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD7N25LZTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:56W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@25V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:550mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N10LTM
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N10LTM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD13N10LTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€40W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:12nC@5V

    输入电容:520pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:180mΩ@10V,5A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N10LTM
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N10LTM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD13N10LTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€40W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:12nC@5V

    输入电容:520pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:180mΩ@10V,5A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    加购:2500
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:48.1W€3.8W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.03nF@15V

    连续漏极电流:28.1A€100A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    谷峰 Mosfet场效应管 G03N10
    谷峰 Mosfet场效应管 G03N10

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G03N10

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:15.5nC@10V

    输入电容:690pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:90pF@25V

    导通电阻:140mΩ@10V,5A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:48.1W€3.8W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.03nF@15V

    连续漏极电流:28.1A€100A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDD7N25LZTM
    onsemi Mosfet场效应管 FDD7N25LZTM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD7N25LZTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:56W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@25V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:550mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
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