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    阈值电压: 1V@250µA
    行业应用: 工业
    漏源电压: 30V
    当前匹配商品:300+
    商品信息
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    强茂 Mosfet场效应管 PJX8828_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJX8828_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJX8828_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.2Ω@300mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJX8828_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJX8828_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJX8828_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.2Ω@300mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF4156NTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF4156NTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJF4156NTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:427pF@15V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF4156NT1G 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF4156NT1G 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJF4156NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:427pF@15V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5UFZ-7B
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5UFZ-7B

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN31D5UFZ-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:393mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.35nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22.2pF@15V

    连续漏极电流:220mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:22
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7606TRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7606TRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7606TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@25V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:P-Channel

    导通电阻:90mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    加购:5
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7303TRPBFXTMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7303TRPBFXTMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7303TRPBFXTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@25V

    连续漏极电流:4.9A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:50mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A01ZTA 起订25个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A01ZTA 起订25个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN3A01ZTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:970mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:186pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7503TRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7503TRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7503TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@25V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:N-Channel

    导通电阻:135mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3300U-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3300U-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3300U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:193pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N-Channel

    导通电阻:150mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:26
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3552DV-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3552DV-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3552DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.15W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:105mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDT439N
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDT439N

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:0609

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT439N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@6.3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:20
    ST Mosfet场效应管 STS10P3LLH6
    ST Mosfet场效应管 STS10P3LLH6

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STS10P3LLH6

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:33nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3350pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:12mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A04DN8TA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A04DN8TA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN3A04DN8TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.81W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1890pF@15V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:20mΩ@12.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3020UFDF-7 起订21个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3020UFDF-7 起订21个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3020UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.03W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:27nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1304pF@15V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A01E6TA 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A01E6TA 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN3A01E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:3.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:190pF@25V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3200U-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3200U-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3200U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:650mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@10V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@2.2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF4156NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF4156NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJF4156NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:427pF@15V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A06DN8TA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A06DN8TA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN3A06DN8TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:796pF@25V

    连续漏极电流:4.9A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:35mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3115UDM-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3115UDM-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3115UDM-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:476pF@15V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N-Channel

    导通电阻:60mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:16
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A01FTA 起订15个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A01FTA 起订15个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN3A01FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:3.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:190pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM64P03XTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM64P03XTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM64P03XTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:825pF@25V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:75mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3200U-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3200U-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3200U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:650mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@10V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@2.2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:78000
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDT439N 起订20个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDT439N 起订20个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:08+

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT439N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@6.3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7316TRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7316TRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7316TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:710pF@25V

    连续漏极电流:4.9A

    类型:P-Channel

    导通电阻:58mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12000
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P03FTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P03FTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61P03FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@25V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:P-Channel

    导通电阻:350mΩ@600mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    加购:3000
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR2703TRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR2703TRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR2703TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N-Channel

    导通电阻:45mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7416TRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7416TRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7416TRPBF

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:92nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:P-Channel

    导通电阻:20mΩ@5.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8000
    加购:4000
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7606TRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7606TRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7606TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@25V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:P-Channel

    导通电阻:90mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6415DQ-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6415DQ-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6415DQ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:19mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
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