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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2537CQ RFG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2537CQ RFG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2537CQ RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:677pF@10V€744pF@10V

    连续漏极电流:11.6A€9A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2537CQ RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2537CQ RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2537CQ RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:677pF@10V€744pF@10V

    连续漏极电流:11.6A€9A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2537CQ RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2537CQ RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2537CQ RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:677pF@10V€744pF@10V

    连续漏极电流:11.6A€9A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2537CQ RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2537CQ RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2537CQ RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:677pF@10V€744pF@10V

    连续漏极电流:11.6A€9A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    加购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA517DJ-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA517DJ-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA517DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.5W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@6V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:29mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3552DV-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3552DV-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3552DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.15W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:105mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA533EDJ-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA533EDJ-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA533EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.8W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@6V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:34mΩ@4.6A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMC4559DN8TA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMC4559DN8TA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMC4559DN8TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1063pF@30V€1021pF@30V

    连续漏极电流:3.6A€2.6A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:55mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2990UDJ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2990UDJ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC2990UDJ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:27.6pF@15V

    连续漏极电流:450mA€310mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMC1028UFDB-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMC1028UFDB-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC1028UFDB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.36W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:787pF@6V

    连续漏极电流:6A€3.4A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:25mΩ@5.2A,4.5V

    漏源电压:12V€20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMC1029UFDB-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMC1029UFDB-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC1029UFDB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:914pF@6V

    连续漏极电流:5.6A€3.8A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:29mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NTUD3127CT5G
    onsemi Mosfet场效应管 NTUD3127CT5G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":15228,"09+":2080578,"10+":216000,"9999":3497,"MI+":72000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTUD3127CT5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9pF@15V

    连续漏极电流:160mA€140mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:3Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1106
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2990UDJ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2990UDJ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC2990UDJ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:27.6pF@15V

    连续漏极电流:450mA€310mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2990UDJ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2990UDJ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC2990UDJ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:27.6pF@15V

    连续漏极电流:450mA€310mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA517DJ-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA517DJ-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA517DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.5W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@6V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:29mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3155CT2G
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3155CT2G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZD3155CT2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@16V

    连续漏极电流:540mA€430mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3552DV-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3552DV-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3552DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.15W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:105mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMC4559DN8TA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMC4559DN8TA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMC4559DN8TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1063pF@30V€1021pF@30V

    连续漏极电流:3.6A€2.6A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:55mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMC21D1UDA-7B 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC21D1UDA-7B 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC21D1UDA-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:31pF@15V€28.5pF@15V

    连续漏极电流:455mA€328mA

    类型:N和P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA527DJ-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA527DJ-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA527DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.8W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@6V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:29mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    MCC Mosfet场效应管 MCMNP2065-TP
    MCC Mosfet场效应管 MCMNP2065-TP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCMNP2065-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.2W€1.8W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:418pF@10V€1010pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1016CX-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1016CX-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1016CX-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:220mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:43pF@10V

    类型:N和P沟道

    导通电阻:396mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 NTUD3169CZT5G
    onsemi Mosfet场效应管 NTUD3169CZT5G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":5246,"19+":6595}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTUD3169CZT5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12.5pF@15V

    连续漏极电流:220mA€200mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3552DV-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3552DV-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3552DV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.15W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:105mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMC31D5UDJ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMC31D5UDJ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC31D5UDJ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22.6pF@15V

    连续漏极电流:220mA€200mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3552DV-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3552DV-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3552DV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.15W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:105mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    加购:3000
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMC3A17DN8TA 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMC3A17DN8TA 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMC3A17DN8TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:4.1A€3.4A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:50mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7309TRPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7309TRPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7309TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@15V

    连续漏极电流:4A€3A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:50mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA537EDJ-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA537EDJ-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:23+

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA537EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.8W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@6V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:28mΩ@5.2A,4.5V

    漏源电压:12V€20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMC1029UFDB-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMC1029UFDB-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC1029UFDB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:914pF@6V

    连续漏极电流:5.6A€3.8A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:29mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
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