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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM6963SDCA RVG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM6963SDCA RVG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM6963SDCA RVG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.14W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:30mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2065UFDB-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2065UFDB-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2065UFDB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.54W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:752pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:50mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1046UFDB-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1046UFDB-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1046UFDB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:915pF@6V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:61mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:14
    onsemi Mosfet场效应管 FDY1002PZ
    onsemi Mosfet场效应管 FDY1002PZ

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDY1002PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:446mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@10V

    连续漏极电流:830mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    MCC Mosfet场效应管 SIL2301-TP
    MCC Mosfet场效应管 SIL2301-TP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIL2301-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:90mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2065UFDB-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2065UFDB-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2065UFDB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.54W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:752pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:50mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:760
    加购:20
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7324TRPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7324TRPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7324TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2940pF@15V

    连续漏极电流:9A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:18mΩ@9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3152PT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3152PT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZD3152PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:175pF@16V

    连续漏极电流:430mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8000
    MCC Mosfet场效应管 SIL2301-TP 起订9000个装
    MCC Mosfet场效应管 SIL2301-TP 起订9000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIL2301-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:90mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2004DMK-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2004DMK-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2004DMK-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:175pF@16V

    连续漏极电流:550mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7913DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7913DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7913DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:37mΩ@7.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUD3A260PZTAG 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUD3A260PZTAG 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUD3A260PZTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:200mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3152PT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3152PT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZD3152PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:175pF@16V

    连续漏极电流:430mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12000
    加购:4000
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UVQ-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UVQ-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2900UVQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:49pF@16V

    连续漏极电流:850mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A18DN8TA 起订125个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A18DN8TA 起订125个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP6A18DN8TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1580pF@30V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:55mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:125
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1055UFDB-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1055UFDB-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1055UFDB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.36W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1028pF@6V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:59mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1965DH-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@6V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:390mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1023PZT
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1023PZT

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME1023PZT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:142mΩ@2.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7316GTRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7316GTRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7316GTRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:710pF@25V

    连续漏极电流:4.9A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:58mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2004VK-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2004VK-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2004VK-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:175pF@16V

    连续漏极电流:530mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1023UVQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1023UVQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1023UVQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:530mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:59pF@16V

    连续漏极电流:1.03A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1965DH-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:740mW€1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@6V

    连续漏极电流:1.14A€1.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:390mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS903DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS903DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS903DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W€23W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2565pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:20.1mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2004DMK-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2004DMK-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2004DMK-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:175pF@16V

    连续漏极电流:550mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1965DH-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@6V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:390mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1965DH-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@6V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:390mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1023UVQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1023UVQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1023UVQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:530mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:59pF@16V

    连续漏极电流:1.03A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:200
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UVQ-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UVQ-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2900UVQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:49pF@16V

    连续漏极电流:850mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1046UFDB-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1046UFDB-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1046UFDB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:915pF@6V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:61mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM6963SDCA RVG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM6963SDCA RVG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM6963SDCA RVG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.14W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:30mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
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