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    AOS Mosfet场效应管 AON7264E 起订13个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7264E 起订13个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7264E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.5W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@30V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT110N06D3
    谷峰 Mosfet场效应管 GT110N06D3

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT110N06D3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1059pF@30V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    谷峰 Mosfet场效应管 GT110N06D3
    谷峰 Mosfet场效应管 GT110N06D3

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT110N06D3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1059pF@30V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06K
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06K

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT090N06K

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1088pF@30V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4S-7 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4S-7 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP32D4S-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:370mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51.16pF@15V

    连续漏极电流:300mA

    类型:P沟道

    导通电阻:2.4Ω@300mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    谷峰 Mosfet场效应管 GT110N06D3 起订3个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT110N06D3 起订3个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT110N06D3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1059pF@30V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06S
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06S

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT090N06S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1378pF@30V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:14
    谷峰 Mosfet场效应管 GT110N06D3 起订3个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT110N06D3 起订3个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT110N06D3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1059pF@30V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06K
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06K

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT090N06K

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1088pF@30V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06K
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06K

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT090N06K

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1088pF@30V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06S
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06S

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT090N06S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1378pF@30V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PW,115 起订16个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PW,115 起订16个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002PW,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:0.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:310mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:16
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3037LSS-13 起订17个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3037LSS-13 起订17个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3037LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:19.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:931pF@15V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4804CDY-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4804CDY-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4804CDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:865pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:22mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC10DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC10DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRC10DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:43W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1873pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ322DT-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ322DT-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZ322DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:16.7W

    阈值电压:2.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@12.5V

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:6.35mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    TI Mosfet场效应管 CSD18513Q5A
    TI Mosfet场效应管 CSD18513Q5A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18513Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:96W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4280pF@20V

    连续漏极电流:124A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.3mΩ@19A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA38EP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA38EP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA38EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002P,235
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002P,235

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002P,235

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:0.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:360mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:43
    AOS Mosfet场效应管 AO4807
    AOS Mosfet场效应管 AO4807

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4807

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:760pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:35mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    AOS Mosfet场效应管 AON6204
    AOS Mosfet场效应管 AON6204

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6204

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W€31W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@15V

    连续漏极电流:14A€24A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ250DT-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ250DT-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZ250DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.3W€33W

    阈值电压:2.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@30V€790pF@30V

    连续漏极电流:14A€38A

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA88DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA88DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA88DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€19.8W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:25.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:985pF@15V

    连续漏极电流:16.2A€40.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.7mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ340DT-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ340DT-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZ340DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:16.7W€31W

    阈值电压:2.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:760pF@15V

    连续漏极电流:30A€40A

    类型:2个N通道(半桥)

    导通电阻:9.5mΩ@15.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472ADN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472ADN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS472ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:28W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1515pF@15V

    连续漏极电流:15A

    类型:N-Channel

    导通电阻:8.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    加购:5
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PV,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PV,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002PV,115

    工作温度:150℃

    功率:330mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:350mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002P,215
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002P,215

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002P,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:360mA

    类型:N-Channel

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4020LFDE-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4020LFDE-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4020LFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:19.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1060pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR466DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR466DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR466DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€54W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2730pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N-Channel

    导通电阻:3.5mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4204DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4204DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4204DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.25W

    阈值电压:2.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2110pF@10V

    连续漏极电流:19.8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:4.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    加购:2500
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