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    阈值电压: 2.4V@250µA
    包装方式: 卷带(TR)
    类型: 2N沟道(双)
    当前匹配商品:70+
    商品信息
    参数
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4804CDY-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4804CDY-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4804CDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:865pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:22mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ322DT-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ322DT-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZ322DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:16.7W

    阈值电压:2.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@12.5V

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:6.35mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ250DT-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ250DT-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZ250DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.3W€33W

    阈值电压:2.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@30V€790pF@30V

    连续漏极电流:14A€38A

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PV,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PV,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002PV,115

    工作温度:150℃

    功率:330mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:350mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4204DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4204DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4204DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.25W

    阈值电压:2.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2110pF@10V

    连续漏极电流:19.8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:4.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    加购:2500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PV,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PV,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002PV,115

    工作温度:150℃

    功率:330mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:350mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    AOS Mosfet场效应管 AO4882
    AOS Mosfet场效应管 AO4882

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4882

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:415pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:19mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PS/ZLX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PS/ZLX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":110040,"19+":211891}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002PS/ZLX

    工作温度:150℃

    功率:990mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:320mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4204DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4204DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4204DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.25W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2110pF@10V

    连续漏极电流:19.8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:4.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ350DT-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ350DT-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZ350DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€16.7W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:940pF@15V

    连续漏极电流:18.5A€30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:6.75mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PS,125
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PS,125

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002PS,125

    工作温度:150℃

    功率:420mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:320mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PS,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PS,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002PS,115

    工作温度:150℃

    功率:420mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:320mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ254DT-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ254DT-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZ254DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.3W€33W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:795pF@35V€765pF@35V

    连续漏极电流:11.7A€32.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:16.1mΩ@10A,10V

    漏源电压:70V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PS,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PS,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002PS,115

    工作温度:150℃

    功率:420mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:320mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ250DT-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ250DT-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZ250DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.3W€33W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@30V€790pF@30V

    连续漏极电流:14A€38A

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    AOS Mosfet场效应管 AO4818B
    AOS Mosfet场效应管 AO4818B

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4818B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:888pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:19mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ250DT-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ250DT-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZ250DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.3W€33W

    阈值电压:2.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@30V€790pF@30V

    连续漏极电流:14A€38A

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1500
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ250DT-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ250DT-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZ250DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.3W€33W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@30V€790pF@30V

    连续漏极电流:14A€38A

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ340ADT-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ340ADT-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZ340ADT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€16.7W€4.2W€31W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:580pF@15V€1290pF@15V

    连续漏极电流:15.7A€33.4A€25.4A€69.7A

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ350DT-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ350DT-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZ350DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€16.7W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:940pF@15V

    连续漏极电流:18.5A€30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:6.75mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PS,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PS,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002PS,115

    工作温度:150℃

    功率:420mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:320mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:900
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ322DT-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ322DT-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZ322DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:16.7W

    阈值电压:2.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@12.5V

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:6.35mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PV,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PV,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002PV,115

    工作温度:150℃

    功率:330mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:350mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PV,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PV,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002PV,115

    工作温度:150℃

    功率:330mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:350mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    加购:5
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PS,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PS,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002PS,115

    工作温度:150℃

    功率:420mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:320mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ320DT-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ320DT-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZ320DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:16.7W€31W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@12.5V€1370pF@12.5V

    连续漏极电流:30A€40A

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5852NLWFT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5852NLWFT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"24+":7500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5852NLWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:6.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:377
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PS,125 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PS,125 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002PS,125

    工作温度:150℃

    功率:420mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:320mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ240DT-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ240DT-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZ240DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.3W€33W

    阈值电压:2.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@20V€1070pF@20V

    连续漏极电流:17.2A€48A€16.9A€47A

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ254DT-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ254DT-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZ254DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.3W€33W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:795pF@35V€765pF@35V

    连续漏极电流:11.7A€32.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:16.1mΩ@10A,10V

    漏源电压:70V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
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