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    阈值电压: 2.4V@250µA
    类型: N沟道
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:200+
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    AOS Mosfet场效应管 AON7264E 起订13个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7264E 起订13个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7264E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.5W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@30V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT110N06D3
    谷峰 Mosfet场效应管 GT110N06D3

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT110N06D3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1059pF@30V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    谷峰 Mosfet场效应管 GT110N06D3
    谷峰 Mosfet场效应管 GT110N06D3

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT110N06D3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1059pF@30V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06K
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06K

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT090N06K

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1088pF@30V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    谷峰 Mosfet场效应管 GT110N06D3 起订3个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT110N06D3 起订3个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT110N06D3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1059pF@30V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06S
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06S

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT090N06S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1378pF@30V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:14
    谷峰 Mosfet场效应管 GT110N06D3 起订3个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT110N06D3 起订3个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT110N06D3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1059pF@30V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06K
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06K

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT090N06K

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1088pF@30V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06K
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06K

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT090N06K

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1088pF@30V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06S
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06S

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT090N06S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1378pF@30V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PW,115 起订16个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PW,115 起订16个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002PW,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:0.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:310mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:16
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC10DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC10DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRC10DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:43W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1873pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    TI Mosfet场效应管 CSD18513Q5A
    TI Mosfet场效应管 CSD18513Q5A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18513Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:96W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4280pF@20V

    连续漏极电流:124A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.3mΩ@19A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA38EP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA38EP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA38EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002P,235
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002P,235

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002P,235

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:0.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:360mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:43
    AOS Mosfet场效应管 AON6204
    AOS Mosfet场效应管 AON6204

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6204

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W€31W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@15V

    连续漏极电流:14A€24A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA88DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA88DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA88DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€19.8W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:25.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:985pF@15V

    连续漏极电流:16.2A€40.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.7mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4020LFDE-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4020LFDE-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4020LFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:19.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1060pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH892BDN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH892BDN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH892BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.4W€29W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:26.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1110pF@50V

    连续漏极电流:6.8A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:30.4Ω@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS10ADN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS10ADN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS10ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€56.8W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3030pF@20V

    连续漏极电流:31.7A€109A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.65mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA52ADP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA52ADP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA52ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€48W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5500pF@20V

    连续漏极电流:41.6A€131A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.63mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    TI Mosfet场效应管 CSD18511KCS
    TI Mosfet场效应管 CSD18511KCS

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18511KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5940pF@20V

    连续漏极电流:194A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.6mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD18514Q5AT
    TI Mosfet场效应管 CSD18514Q5AT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18514Q5AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2683pF@20V

    连续漏极电流:89A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 MMBF2201NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 MMBF2201NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MMBF2201NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@5V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@300mA,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD18511KTTT
    TI Mosfet场效应管 CSD18511KTTT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18511KTTT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5940pF@20V

    连续漏极电流:110A€194A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.6mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC16DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC16DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRC16DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:54.3W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:48nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5150pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.96mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA18ADN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA18ADN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA18ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€19.8W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:21.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@15V

    连续漏极电流:38.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD18563Q5A
    TI Mosfet场效应管 CSD18563Q5A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18563Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€116W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.8mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 MMBF2201NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 MMBF2201NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MMBF2201NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@5V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@300mA,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD18513Q5A
    TI Mosfet场效应管 CSD18513Q5A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18513Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:96W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4280pF@20V

    连续漏极电流:124A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.3mΩ@19A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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