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    阈值电压: 2.4V@250µA
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    行业应用: 工业
    当前匹配商品:30+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA38EP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA38EP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA38EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    TI Mosfet场效应管 CSD18511KCS
    TI Mosfet场效应管 CSD18511KCS

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18511KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5940pF@20V

    连续漏极电流:194A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.6mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD18511KTTT
    TI Mosfet场效应管 CSD18511KTTT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18511KTTT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5940pF@20V

    连续漏极电流:110A€194A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.6mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TI Mosfet场效应管 CSD18511KTT
    TI Mosfet场效应管 CSD18511KTT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18511KTT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5940pF@20V

    连续漏极电流:194A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.6mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD18535KTTT
    TI Mosfet场效应管 CSD18535KTTT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18535KTTT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6620pF@30V

    连续漏极电流:200A€279A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    AOS Mosfet场效应管 AOD558
    AOS Mosfet场效应管 AOD558

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD558

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1187pF@15V

    连续漏极电流:17A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL40T209ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL40T209ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":4836}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRL40T209ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:269nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:16000pF@20V

    连续漏极电流:300A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.72mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD18535KTTT
    TI Mosfet场效应管 CSD18535KTTT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18535KTTT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6620pF@30V

    连续漏极电流:200A€279A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:150
    TI Mosfet场效应管 CSD18535KCS
    TI Mosfet场效应管 CSD18535KCS

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18535KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6620pF@30V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD18535KTT
    TI Mosfet场效应管 CSD18535KTT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18535KTT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6620pF@30V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA38EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA38EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA38EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD18511KTT
    TI Mosfet场效应管 CSD18511KTT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18511KTT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5940pF@20V

    连续漏极电流:194A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.6mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50N03-06AP-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50N03-06AP-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD50N03-06AP-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:10W€83W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3800pF@15V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL40SC209 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL40SC209 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRL40SC209

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:267nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15270pF@25V

    连续漏极电流:478A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.8mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL40T209ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL40T209ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRL40T209ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:269nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:16000pF@20V

    连续漏极电流:300A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.72mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL60SL216
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL60SL216

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":764,"18+":1000,"20+":892}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRL60SL216

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:255nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:15330pF@25V

    连续漏极电流:298A

    类型:N-Channel

    导通电阻:1.95mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:78
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL40B209
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL40B209

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":1250}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRL40B209

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:270nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:15140pF@25V

    连续漏极电流:414A

    类型:N-Channel

    导通电阻:1.25mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:224
    AOS Mosfet场效应管 AOD409 起订9个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD409 起订9个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD409

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€60W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3600pF@30V

    连续漏极电流:26A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5852NLWFT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5852NLWFT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"24+":7500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5852NLWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:6.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:377
    TI Mosfet场效应管 CSD18535KTTT
    TI Mosfet场效应管 CSD18535KTTT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18535KTTT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6620pF@30V

    连续漏极电流:200A€279A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA38EP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA38EP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA38EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL40T209ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL40T209ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":4836}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRL40T209ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:269nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:16000pF@20V

    连续漏极电流:300A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.72mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:96
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL40T209ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL40T209ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRL40T209ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:269nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:16000pF@20V

    连续漏极电流:300A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.72mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD18535KTT
    TI Mosfet场效应管 CSD18535KTT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18535KTT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6620pF@30V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL40T209ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL40T209ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRL40T209ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:269nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:16000pF@20V

    连续漏极电流:300A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.72mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD18535KCS
    TI Mosfet场效应管 CSD18535KCS

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18535KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6620pF@30V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    TI Mosfet场效应管 CSD18511KTTT
    TI Mosfet场效应管 CSD18511KTTT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18511KTTT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5940pF@20V

    连续漏极电流:110A€194A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.6mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    TI Mosfet场效应管 CSD18535KCS
    TI Mosfet场效应管 CSD18535KCS

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18535KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6620pF@30V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD18535KCS
    TI Mosfet场效应管 CSD18535KCS

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18535KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6620pF@30V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    TI Mosfet场效应管 CSD18535KTT
    TI Mosfet场效应管 CSD18535KTT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18535KTT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6620pF@30V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:100
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