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    栅极电荷: 13nC@10V
    工作温度: -55℃~175℃
    行业应用: 汽车
    当前匹配商品:60+
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    INFINEON Mosfet场效应管 SPD08P06PGBTMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD08P06PGBTMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD08P06PGBTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@25V

    连续漏极电流:8.83A

    类型:P沟道

    导通电阻:300mΩ@10A,6.2V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H854NTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H854NTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS6H854NTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€68W

    阈值电压:4V@45µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@40V

    连续漏极电流:9.5A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H854NTAG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H854NTAG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS6H854NTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€68W

    阈值电压:4V@45µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@40V

    连续漏极电流:9.5A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD08P06PGBTMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD08P06PGBTMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD08P06PGBTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@25V

    连续漏极电流:8.83A

    类型:P沟道

    导通电阻:300mΩ@10A,6.2V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD15N06S2L64ATMA2 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD15N06S2L64ATMA2 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD15N06S2L64ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:47W

    阈值电压:2V@14µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:354pF@25V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@13A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H854NTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H854NTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS6H854NTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€68W

    阈值电压:4V@45µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@40V

    连续漏极电流:9.5A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1500
    加购:1500
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2318AES-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2318AES-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2318AES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:N-Channel

    导通电阻:31mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1500
    ST Mosfet场效应管 STD20NF06LT4
    ST Mosfet场效应管 STD20NF06LT4

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD20NF06LT4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:60W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN030-60YS,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN030-60YS,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN030-60YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:56W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:686pF@30V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:24.7mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2318AES-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2318AES-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2318AES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:N-Channel

    导通电阻:31mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:600
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2318AES-T1_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2318AES-T1_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2318AES-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:553pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@7.9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    加购:3000
    ST Mosfet场效应管 STP16NF06
    ST Mosfet场效应管 STP16NF06

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP16NF06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:315pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN030-60YS,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN030-60YS,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN030-60YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:56W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:686pF@30V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:24.7mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV37ENER 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV37ENER 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV37ENER

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:710mW€8.3W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@30V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:49mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD15N06S2L64ATMA2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD15N06S2L64ATMA2

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD15N06S2L64ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:47W

    阈值电压:2V@14µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:354pF@25V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@13A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN030-60YS,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN030-60YS,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN030-60YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:56W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:686pF@30V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:24.7mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7D25-40EX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7D25-40EX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7D25-40EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:15W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV37ENEAR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV37ENEAR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV37ENEAR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:710mW€8.3W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@30V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:49mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:14
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN030-60YS,115 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN030-60YS,115 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN030-60YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:56W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:686pF@30V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:24.7mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD15N06S2L64ATMA2 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD15N06S2L64ATMA2 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD15N06S2L64ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:47W

    阈值电压:2V@14µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:354pF@25V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@13A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD08P06PGBTMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD08P06PGBTMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD08P06PGBTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@25V

    连续漏极电流:8.83A

    类型:P沟道

    导通电阻:300mΩ@10A,6.2V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2318AES-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2318AES-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2318AES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:N-Channel

    导通电阻:31mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV37ENER
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV37ENER

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV37ENER

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:710mW€8.3W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@30V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:49mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2318AES-T1_BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2318AES-T1_BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2318AES-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:553pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@7.9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD15N06S2L64ATMA2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD15N06S2L64ATMA2

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD15N06S2L64ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:47W

    阈值电压:2V@14µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:354pF@25V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@13A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD08P06PGBTMA1 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD08P06PGBTMA1 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD08P06PGBTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@25V

    连续漏极电流:8.83A

    类型:P沟道

    导通电阻:300mΩ@10A,6.2V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD15N06S2L64ATMA2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD15N06S2L64ATMA2

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD15N06S2L64ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:47W

    阈值电压:2V@14µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:354pF@25V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@13A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD15N06S2L64ATMA2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD15N06S2L64ATMA2

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":115237,"24+":7348,"MI+":43854}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD15N06S2L64ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:47W

    阈值电压:2V@14µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:354pF@25V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@13A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1127
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7D25-40EX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7D25-40EX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7D25-40EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:15W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV37ENEAR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV37ENEAR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV37ENEAR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:710mW€8.3W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@30V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:49mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
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