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    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0911NDATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0911NDATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0911NDATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@12V

    连续漏极电流:18A€30A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:3.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSG0810NDIATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSG0810NDIATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSG0810NDIATMA1

    工作温度:-55℃~155℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@12V

    连续漏极电流:19A€39A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:3mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AONX38168
    AOS Mosfet场效应管 AONX38168

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONX38168

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€20W€3.2W€69W

    阈值电压:1.9V@250µA€1.8V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@12.5V€4520pF@12.5V

    连续漏极电流:25A€62A€50A€85A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDPC8014S
    onsemi Mosfet场效应管 FDPC8014S

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPC8014S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€2.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2375pF@13V

    连续漏极电流:20A€41A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0911NDATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0911NDATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":151518,"23+":56594}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0911NDATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@12V

    连续漏极电流:18A€30A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:3.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 FDPC8014S
    onsemi Mosfet场效应管 FDPC8014S

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":2144,"21+":5417,"22+":4886}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPC8014S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€2.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2375pF@13V

    连续漏极电流:20A€41A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:300
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3616S
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3616S

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3616S

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1765pF@13V

    连续漏极电流:16A€18A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:6.6mΩ@16A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSG0810NDIATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSG0810NDIATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":551}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSG0810NDIATMA1

    工作温度:-55℃~155℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@12V

    连续漏极电流:19A€39A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:3mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDPC8014S
    onsemi Mosfet场效应管 FDPC8014S

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":2144,"21+":5417,"22+":4886}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPC8014S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€2.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2375pF@13V

    连续漏极电流:20A€41A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0910NDIATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0910NDIATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0910NDIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4500pF@12V

    连续漏极电流:11A€31A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:4.6mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 BSG0810NDIATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSG0810NDIATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSG0810NDIATMA1

    工作温度:-55℃~155℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@12V

    连续漏极电流:19A€39A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:3mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FDPC8011S 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPC8011S 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":17561,"22+":9402,"MI+":18000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPC8011S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW€900mW

    阈值电压:2.2V@250µA€2.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1240pF@13V€4335pF@13V

    连续漏极电流:13A€20A€27A€60A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 FDPC8011S-AU01
    onsemi Mosfet场效应管 FDPC8011S-AU01

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPC8011S-AU01

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW€900mW

    阈值电压:2.2V@250µA€2.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1240pF@13V€4335pF@13V

    连续漏极电流:13A€20A€27A€60A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FDPC8012S
    onsemi Mosfet场效应管 FDPC8012S

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPC8012S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW€900mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1075pF@13V

    连续漏极电流:13A€26A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:7mΩ@12A,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3610S
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3610S

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3610S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1570pF@13V

    连续漏极电流:17.5A€30A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:5mΩ@17.5A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS001N025DSD
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS001N025DSD

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS001N025DSD

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€26W€2.3W€42W

    阈值电压:2.5V@320µA€3V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1370pF@13V€5105pF@13V

    连续漏极电流:19A€69A€38A€165A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 FDPC8016S
    onsemi Mosfet场效应管 FDPC8016S

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPC8016S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€2.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2375pF@13V

    连续漏极电流:20A€35A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3600AS
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3600AS

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3600AS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.2W€2.5W

    阈值电压:2.7V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1770pF@13V

    连续漏极电流:15A€30A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:5.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:331
    INFINEON Mosfet场效应管 BSG0811NDATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSG0811NDATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSG0811NDATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@12V

    连续漏极电流:19A€41A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:3mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0911NDATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0911NDATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0911NDATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@12V

    连续漏极电流:18A€30A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:3.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3626S
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3626S

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):1psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3626S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1570pF@13V

    连续漏极电流:17.5A€25A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:5mΩ@17.5A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDPC8011S
    onsemi Mosfet场效应管 FDPC8011S

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPC8011S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW€900mW

    阈值电压:2.2V@250µA€2.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1240pF@13V€4335pF@13V

    连续漏极电流:13A€20A€27A€60A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPC8014S 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPC8014S 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPC8014S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€2.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2375pF@13V

    连续漏极电流:20A€41A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0911NDATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0911NDATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0911NDATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@12V

    连续漏极电流:18A€30A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:3.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0910NDIATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0910NDIATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0910NDIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4500pF@12V

    连续漏极电流:11A€31A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:4.6mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0910NDIATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0910NDIATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0910NDIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4500pF@12V

    连续漏极电流:11A€31A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:4.6mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0910NDIATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0910NDIATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0910NDIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4500pF@12V

    连续漏极电流:11A€31A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:4.6mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0911NDATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0911NDATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":151518,"23+":56594}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0911NDATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@12V

    连续漏极电流:18A€30A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:3.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0910NDIATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0910NDIATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":3078}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0910NDIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4500pF@12V

    连续漏极电流:11A€31A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:4.6mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0910NDIATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0910NDIATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0910NDIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4500pF@12V

    连续漏极电流:11A€31A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:4.6mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
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