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    AOS Mosfet场效应管 AON7264E 起订13个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7264E 起订13个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7264E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.5W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@30V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT110N06D3
    谷峰 Mosfet场效应管 GT110N06D3

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT110N06D3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1059pF@30V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    谷峰 Mosfet场效应管 GT110N06D3
    谷峰 Mosfet场效应管 GT110N06D3

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT110N06D3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1059pF@30V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06K
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06K

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT090N06K

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1088pF@30V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    谷峰 Mosfet场效应管 GT110N06D3 起订3个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT110N06D3 起订3个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT110N06D3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1059pF@30V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06S
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06S

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT090N06S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1378pF@30V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:14
    谷峰 Mosfet场效应管 GT110N06D3 起订3个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT110N06D3 起订3个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT110N06D3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1059pF@30V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06K
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06K

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT090N06K

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1088pF@30V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06K
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06K

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT090N06K

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1088pF@30V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06S
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06S

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT090N06S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1378pF@30V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PW,115 起订16个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PW,115 起订16个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002PW,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:0.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:310mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:16
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002P,235
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002P,235

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002P,235

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:0.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:360mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:43
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ250DT-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ250DT-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZ250DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.3W€33W

    阈值电压:2.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@30V€790pF@30V

    连续漏极电流:14A€38A

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PV,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PV,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002PV,115

    工作温度:150℃

    功率:330mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:350mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002P,215
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002P,215

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002P,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:360mA

    类型:N-Channel

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    TI Mosfet场效应管 CSD18563Q5A
    TI Mosfet场效应管 CSD18563Q5A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18563Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€116W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.8mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PV,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PV,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002PV,115

    工作温度:150℃

    功率:330mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:350mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002P,215
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002P,215

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002P,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:0.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:360mA

    类型:N-Channel

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PW,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PW,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002PW,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:0.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:310mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18535KTTT
    TI Mosfet场效应管 CSD18535KTTT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18535KTTT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6620pF@30V

    连续漏极电流:200A€279A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PS/ZLX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PS/ZLX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":110040,"19+":211891}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002PS/ZLX

    工作温度:150℃

    功率:990mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:320mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002HWX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002HWX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002HWX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:34pF@10V

    连续漏极电流:310mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    加购:5
    TI Mosfet场效应管 CSD18535KTTT
    TI Mosfet场效应管 CSD18535KTTT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18535KTTT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6620pF@30V

    连续漏极电流:200A€279A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:150
    TI Mosfet场效应管 CSD18535KCS
    TI Mosfet场效应管 CSD18535KCS

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18535KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6620pF@30V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD18535KTT
    TI Mosfet场效应管 CSD18535KTT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18535KTT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6620pF@30V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PW,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PW,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002PW,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:310mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PS,125
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PS,125

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002PS,125

    工作温度:150℃

    功率:420mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:320mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002P,215
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002P,215

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002P,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:360mA

    类型:N-Channel

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PW,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PW,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002PW,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:310mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002P,215
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002P,215

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002P,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:360mA

    类型:N-Channel

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
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