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    谷峰 Mosfet场效应管 G23N06K
    谷峰 Mosfet场效应管 G23N06K

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G23N06K

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@15V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    AOS Mosfet场效应管 AON7264E 起订13个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7264E 起订13个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7264E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.5W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@30V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 20N06
    谷峰 Mosfet场效应管 20N06

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):20N06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:41W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1609pF@30V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    UMW Mosfet场效应管 30N06
    UMW Mosfet场效应管 30N06

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):30N06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1562pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    UMW Mosfet场效应管 STD30NF06L
    UMW Mosfet场效应管 STD30NF06L

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD30NF06L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:25nC@10V

    输入电容:1.562nF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:29mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    UMW Mosfet场效应管 STD20NF06L
    UMW Mosfet场效应管 STD20NF06L

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD20NF06L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1562pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13
    UMW Mosfet场效应管 STD20NF06L
    UMW Mosfet场效应管 STD20NF06L

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD20NF06L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1562pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    谷峰 Mosfet场效应管 G15N06K
    谷峰 Mosfet场效应管 G15N06K

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G15N06K

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:40W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:25nC@10V

    输入电容:763pF@30V

    连续漏极电流:15A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:37pF@30V

    导通电阻:31mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:19
    UMW Mosfet场效应管 STD20NF06L
    UMW Mosfet场效应管 STD20NF06L

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD20NF06L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1562pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    UMW Mosfet场效应管 STD20NF06L
    UMW Mosfet场效应管 STD20NF06L

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD20NF06L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1562pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    UMW Mosfet场效应管 30N06 起订1000个装
    UMW Mosfet场效应管 30N06 起订1000个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):30N06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1562pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    UMW Mosfet场效应管 30N06
    UMW Mosfet场效应管 30N06

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):30N06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1562pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    谷峰 Mosfet场效应管 20N06
    谷峰 Mosfet场效应管 20N06

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):20N06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:41W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1609pF@30V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR024PBF 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR024PBF 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR024PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:640pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4946BEY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4946BEY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4946BEY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@30V

    连续漏极电流:6.5A

    导通电阻:41mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    加购:2500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7415DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7415DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:08+

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7415DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD024PBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD024PBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFD024PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:640pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    加购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FQD30N06TM
    onsemi Mosfet场效应管 FQD30N06TM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD30N06TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€44W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:945pF@25V

    连续漏极电流:22.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@11.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIZ24GPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIZ24GPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFIZ24GPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:37W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:640pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7414DN-T1-E3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7414DN-T1-E3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7414DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@8.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIZ24GPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIZ24GPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFIZ24GPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:37W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:640pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH6050SK3-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH6050SK3-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH6050SK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1377pF@30V

    连续漏极电流:7.2A€23.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7414DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7414DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7414DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@8.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7414DN-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7414DN-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7414DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@8.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7414DN-T1-E3 起订750个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7414DN-T1-E3 起订750个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7414DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@8.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:750
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH6050SK3-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH6050SK3-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH6050SK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1377pF@30V

    连续漏极电流:7.2A€23.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5116PLTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5116PLTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS5116PLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€40W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1258pF@30V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:4500
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR020TRPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR020TRPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR020TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR024TRLPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR024TRLPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR024TRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7415DN-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7415DN-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7415DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:500
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