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    漏源电压: 60V
    行业应用: 工业
    栅极电荷: 10nC@10V
    当前匹配商品:40+
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    强茂 Mosfet场效应管 PJD14P06A-AU_L2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJD14P06A-AU_L2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD14P06A-AU_L2_000A1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:14A€3.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:110mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:17
    强茂 Mosfet场效应管 PJD14P06A_L2_00001 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD14P06A_L2_00001 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD14P06A_L2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.2W€40W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:14A€3.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:110mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4P06A_R2_00001 起订10个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4P06A_R2_00001 起订10个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW4P06A_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJD14P06A-AU_L2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJD14P06A-AU_L2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD14P06A-AU_L2_000A1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:14A€3.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:110mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJS6461-AU_S1_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJS6461-AU_S1_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJS6461-AU_S1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3463_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3463_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3463_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3463_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3463_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3463_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4P06A_R2_00001 起订4个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4P06A_R2_00001 起订4个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW4P06A_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4P06A-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4P06A-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW4P06A-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4P06A-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4P06A-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW4P06A-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3463_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3463_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3463_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    强茂 Mosfet场效应管 PJD14P06A-AU_L2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJD14P06A-AU_L2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD14P06A-AU_L2_000A1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:14A€3.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:110mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJS6461_S1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJS6461_S1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJS6461_S1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJS6461-AU_S1_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJS6461-AU_S1_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJS6461-AU_S1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJS6461_S1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJS6461_S1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJS6461_S1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    AOS Mosfet场效应管 AOD444 起订13个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD444 起订13个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD444

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.1W€20W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@30V

    连续漏极电流:4A€12A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5L015SPTL
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5L015SPTL

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5L015SPTL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@10V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P-Channel

    导通电阻:280mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    AOS Mosfet场效应管 AOD444 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD444 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD444

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.1W€20W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@30V

    连续漏极电流:4A€12A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDN5630
    onsemi Mosfet场效应管 FDN5630

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN5630

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FDN5630
    onsemi Mosfet场效应管 FDN5630

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN5630

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    加购:5
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5L015SPTL
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5L015SPTL

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5L015SPTL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@10V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P-Channel

    导通电阻:280mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDN5630
    onsemi Mosfet场效应管 FDN5630

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN5630

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5L015SPTL
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5L015SPTL

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5L015SPTL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@10V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P-Channel

    导通电阻:280mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    onsemi Mosfet场效应管 FDN5630
    onsemi Mosfet场效应管 FDN5630

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN5630

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12000
    加购:3000
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5L015SPTL
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5L015SPTL

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5L015SPTL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@10V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P-Channel

    导通电阻:280mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4000
    onsemi Mosfet场效应管 FDN5630
    onsemi Mosfet场效应管 FDN5630

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN5630

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4P06A-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4P06A-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW4P06A-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDN5630
    onsemi Mosfet场效应管 FDN5630

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":7708}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN5630

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3230
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5L015SPTL
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5L015SPTL

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5L015SPTL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@10V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P-Channel

    导通电阻:280mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    加购:5
    ROHM Mosfet场效应管 RSR015P06HZGTL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSR015P06HZGTL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSR015P06HZGTL

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@10V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:280mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
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