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    VISHAY Mosfet场效应管 SQM120P06-07L_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM120P06-07L_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM120P06-07L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:270nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14280pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.7mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS6L120BGTB1 起订2500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS6L120BGTB1 起订2500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS6L120BGTB1

    功率:104W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:51nC@10V

    输入电容:3.52nF@30V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@90A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    加购:2500
    MINOS Mosfet场效应管 IRF3205S
    MINOS Mosfet场效应管 IRF3205S

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF3205S

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:143W

    阈值电压:2.8V@250μA

    栅极电荷:80nC@10V

    输入电容:3.7nF@30V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:270pF@30V

    导通电阻:6mΩ@10V,30A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFS3306TRL 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFS3306TRL 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRFS3306TRL

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:230W

    阈值电压:4V@150µA

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4520pF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@75A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC120N06S5L032ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC120N06S5L032ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC120N06S5L032ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:94W

    阈值电压:2.2V@44µA

    栅极电荷:51.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3823pF@30V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@60A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NTP5426NG
    onsemi Mosfet场效应管 NTP5426NG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":31714,"MI+":7000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP5426NG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:215W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:170nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5800pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@60A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:228
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP032N06N3GXKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP032N06N3GXKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP032N06N3GXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:4V@118µA

    栅极电荷:165nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:13000pF@30V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    加购:50
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFP3306PBF 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFP3306PBF 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP3306PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:220W

    阈值电压:4V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:120nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4520pF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@75A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP030N06
    onsemi Mosfet场效应管 FDP030N06

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP030N06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:231W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:151nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9815pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@75A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFS3306TRL
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFS3306TRL

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":7800}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRFS3306TRL

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:230W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:120A

    类型:N-Channel

    导通电阻:4.2mΩ@75A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:169
    onsemi Mosfet场效应管 FDI030N06
    onsemi Mosfet场效应管 FDI030N06

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":4000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDI030N06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:231W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:151nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9815pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@75A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:300
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFP3306PBF 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFP3306PBF 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":424}

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP3306PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:220W

    阈值电压:4V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:120nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4520pF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@75A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDI030N06
    onsemi Mosfet场效应管 FDI030N06

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":4000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDI030N06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:231W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:151nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9815pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@75A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R0-60ES,127
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R0-60ES,127

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":610}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R0-60ES,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:338W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:137nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9997pF@30V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC120N06S5N017ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC120N06S5N017ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC120N06S5N017ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:3.4V@94µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:95.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6952pF@30V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@60A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB3206PBF 起订50个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB3206PBF 起订50个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFB3206PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@150µA

    栅极电荷:170nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6540pF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@75A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFS3206TRL 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFS3206TRL 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":9600}

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRFS3206TRL

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:170nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6540pF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@75A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ST Mosfet场效应管 STL225N6F7AG
    ST Mosfet场效应管 STL225N6F7AG

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL225N6F7AG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6500pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@60A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK763R1-60E,118
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK763R1-60E,118

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK763R1-60E,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:293W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:114nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8920pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDP025N06
    onsemi Mosfet场效应管 FDP025N06

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP025N06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:395W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:226nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:14885pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@75A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK762R6-60E,118 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK762R6-60E,118 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK762R6-60E,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:324W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10170pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.6mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP024N06N3GXKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP024N06N3GXKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP024N06N3GXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@196µA

    栅极电荷:275nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:23000pF@30V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    ROHM Mosfet场效应管 RS6L120BGTB1
    ROHM Mosfet场效应管 RS6L120BGTB1

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS6L120BGTB1

    功率:104W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:51nC@10V

    输入电容:3.52nF@30V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@90A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB029N06N3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB029N06N3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB029N06N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:4V@118µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:165nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13000pF@30V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS3306TRLPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS3306TRLPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFS3306TRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:230W

    阈值电压:4V@150µA

    栅极电荷:120nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4520pF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@75A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTP5426NG
    onsemi Mosfet场效应管 NTP5426NG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":31714,"MI+":7000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP5426NG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:215W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:170nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5800pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@60A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    ST Mosfet场效应管 STL220N6F7
    ST Mosfet场效应管 STL220N6F7

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL220N6F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.8W€187W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6600pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    NXP Mosfet场效应管 BUK752R7-60E,127 起订1000个装
    NXP Mosfet场效应管 BUK752R7-60E,127 起订1000个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"9999":1053}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK752R7-60E,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:349W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:158nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:11180pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.6mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM120P06-07L_GE3 起订200个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM120P06-07L_GE3 起订200个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM120P06-07L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:270nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14280pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.7mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:200
    加购:5
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC120N06S5L032ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC120N06S5L032ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC120N06S5L032ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:94W

    阈值电压:2.2V@44µA

    栅极电荷:51.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3823pF@30V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@60A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    加购:5
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