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    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0702LS 起订6个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0702LS 起订6个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0702LS

    功率:83W

    阈值电压:2.3V@49μA

    连续漏极电流:100A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@10V,50A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM100N06CZ C0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM100N06CZ C0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM100N06CZ C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:167W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:92nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4382pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.7mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0702LSATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0702LSATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0702LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:2.3V@49µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4400pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK964R2-60E,118 起订118个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK964R2-60E,118 起订118个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":2400,"21+":800,"22+":2400}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK964R2-60E,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:72nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11380pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC034N06NS
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC034N06NS

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):5000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC034N06NS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:100A

    类型:N-Channel

    导通电阻:3.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y4R8-60EX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y4R8-60EX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7Y4R8-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:238W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:73.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5520pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC028N06LS3 G
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC028N06LS3 G

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC028N06LS3 G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:139W

    连续漏极电流:100A

    类型:N-Channel

    导通电阻:2.8mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78nC@7.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5130pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    TI Mosfet场效应管 CSD18540Q5BT
    TI Mosfet场效应管 CSD18540Q5BT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18540Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@28A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7E4R6-60E,127
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7E4R6-60E,127

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":1400,"19+":12879,"9999":484}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7E4R6-60E,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:234W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6230pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:524
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC016N06NS
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC016N06NS

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC016N06NS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:139W

    连续漏极电流:100A

    类型:N-Channel

    导通电阻:1.6mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1250
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:100A

    类型:N-Channel

    导通电阻:1.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD034N06N3G
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD034N06N3G

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD034N06N3G

    功率:167W

    阈值电压:4V@93μA

    连续漏极电流:100A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@10V,100A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TI Mosfet场效应管 CSD18532Q5BT
    TI Mosfet场效应管 CSD18532Q5BT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18532Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€156W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5070pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y7R2-60E,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y7R2-60E,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y7R2-60E,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5026pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0702LS
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0702LS

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0702LS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    连续漏极电流:100A

    类型:N-Channel

    导通电阻:2.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD18563Q5A
    TI Mosfet场效应管 CSD18563Q5A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18563Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€116W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.8mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ST Mosfet场效应管 STP100N6F7
    ST Mosfet场效应管 STP100N6F7

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP100N6F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1980pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC034N06NSATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC034N06NSATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2608}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC034N06NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€74W

    阈值电压:3.3V@41µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:177
    TI Mosfet场效应管 CSD18540Q5BT
    TI Mosfet场效应管 CSD18540Q5BT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18540Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@28A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD100N06S403ATMA2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD100N06S403ATMA2

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":300000,"23+":16703,"MI+":25000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD100N06S403ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:128nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10400pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:100A

    类型:N-Channel

    导通电阻:1.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6004SK3Q-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6004SK3Q-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6004SK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€180W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:95.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4556pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@90A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD034N06N3G
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD034N06N3G

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD034N06N3G

    功率:167W

    阈值电压:4V@93μA

    连续漏极电流:100A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@10V,100A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    RENESAS Mosfet场效应管 NP100P06PDG-E1-AY
    RENESAS Mosfet场效应管 NP100P06PDG-E1-AY

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP100P06PDG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.8W€200W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:300nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15000pF@10V

    连续漏极电流:100A

    类型:P沟道

    导通电阻:6mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R6-60BS,118
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R6-60BS,118

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN4R6-60BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:211W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:70.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4426pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6004SK3Q-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6004SK3Q-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6004SK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€180W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:95.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4556pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@90A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    TI Mosfet场效应管 CSD18540Q5B 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18540Q5B 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18540Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@28A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC027N06LS5ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC027N06LS5ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":9679}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC027N06LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:2.3V@49µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4400pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:300
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD100N06S403ATMA2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD100N06S403ATMA2

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":300000,"23+":16703,"MI+":25000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD100N06S403ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:128nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10400pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:500
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