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    漏源电压: 60V
    行业应用: 工业
    功率: 104W
    当前匹配商品:20+
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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM230N06CP ROG

    工作温度:150℃

    功率:104W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@25V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    谷峰 Mosfet场效应管 GT025N06AD5
    谷峰 Mosfet场效应管 GT025N06AD5

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT025N06AD5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5044pF@30V

    连续漏极电流:170A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    谷峰 Mosfet场效应管 GT025N06AD5 起订2000个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT025N06AD5 起订2000个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT025N06AD5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5044pF@30V

    连续漏极电流:170A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM230N06CP ROG

    工作温度:150℃

    功率:104W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@25V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ROHM Mosfet场效应管 RS6L120BGTB1 起订2500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS6L120BGTB1 起订2500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS6L120BGTB1

    功率:104W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:51nC@10V

    输入电容:3.52nF@30V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@90A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    加购:2500
    谷峰 Mosfet场效应管 G65P06D5 起订1000个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G65P06D5 起订1000个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G65P06D5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5814pF@25V

    连续漏极电流:65A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM230N06CP ROG

    工作温度:150℃

    功率:104W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@25V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    谷峰 Mosfet场效应管 G65P06D5
    谷峰 Mosfet场效应管 G65P06D5

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G65P06D5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5814pF@25V

    连续漏极电流:65A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86500L
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86500L

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):3000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86500L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:104W

    阈值电压:1V

    栅极电荷:165nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:25A

    类型:MOSFET

    导通电阻:2.5mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86500L
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86500L

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):3000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86500L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:104W

    阈值电压:1V

    栅极电荷:165nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:25A

    类型:MOSFET

    导通电阻:2.5mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78nC@7.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5130pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626LDP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626LDP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626LDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:186A

    导通电阻:1.5mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626LDP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626LDP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626LDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:186A

    导通电阻:1.5mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:100A

    类型:N-Channel

    导通电阻:1.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:100A

    类型:N-Channel

    导通电阻:1.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626LDP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626LDP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626LDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:186A

    导通电阻:1.5mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626LDP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626LDP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626LDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:186A

    导通电阻:1.5mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:23+

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:100A

    类型:N-Channel

    导通电阻:1.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1500
    ROHM Mosfet场效应管 RS6L120BGTB1
    ROHM Mosfet场效应管 RS6L120BGTB1

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS6L120BGTB1

    功率:104W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:51nC@10V

    输入电容:3.52nF@30V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@90A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86500L
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86500L

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):3000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86500L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:104W

    阈值电压:1V

    栅极电荷:165nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:25A

    类型:MOSFET

    导通电阻:2.5mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2334

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:100A

    类型:N-Channel

    导通电阻:1.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    ROHM Mosfet场效应管 RS6L120BGTB1
    ROHM Mosfet场效应管 RS6L120BGTB1

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS6L120BGTB1

    功率:104W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:51nC@10V

    输入电容:3.52nF@30V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@90A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86500L
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86500L

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):3000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86500L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:104W

    阈值电压:1V

    栅极电荷:165nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:25A

    类型:MOSFET

    导通电阻:2.5mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626LDP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626LDP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626LDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:186A

    导通电阻:1.5mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:100A

    类型:N-Channel

    导通电阻:1.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:100A

    类型:N-Channel

    导通电阻:1.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:23+

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:100A

    类型:N-Channel

    导通电阻:1.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:750
    谷峰 Mosfet场效应管 GT025N06AD5
    谷峰 Mosfet场效应管 GT025N06AD5

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT025N06AD5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5044pF@30V

    连续漏极电流:170A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626LDP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626LDP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626LDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:186A

    导通电阻:1.5mΩ

    漏源电压:60V

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