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    强茂 Mosfet场效应管 PJW4P06A_R2_00001 起订10个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4P06A_R2_00001 起订10个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW4P06A_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJW5P06A_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJW5P06A_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW5P06A_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:879pF@30V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:68mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4P06A_R2_00001 起订4个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4P06A_R2_00001 起订4个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW4P06A_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    强茂 Mosfet场效应管 PJW3P06A-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJW3P06A-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW3P06A-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:170mΩ@2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW4N06A_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:509pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJW7N06A_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJW7N06A_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW7N06A_R2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.173nF@25V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:34mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJW7N06A_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJW7N06A_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW7N06A_R2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.173nF@25V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:34mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06S
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06S

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT090N06S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1378pF@30V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:14
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4P06A-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4P06A-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW4P06A-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4P06A-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4P06A-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW4P06A-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW4N06A_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:509pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJW5P06A_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJW5P06A_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW5P06A_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:879pF@30V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:68mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJW5P06A_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJW5P06A_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW5P06A_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:879pF@30V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:68mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJW5P06A_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJW5P06A_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW5P06A_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:879pF@30V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:68mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJW5P06A_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJW5P06A_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW5P06A_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:879pF@30V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:68mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06S
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06S

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT090N06S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1378pF@30V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJW7N06A_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJW7N06A_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW7N06A_R2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.173nF@25V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:34mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010SK3Q-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010SK3Q-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6010SK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2841pF@30V

    连续漏极电流:16.3A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010SK3-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010SK3-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6010SK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:36.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1940pF@30V

    连续漏极电流:16.3A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010SK3Q-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010SK3Q-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6010SK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2841pF@30V

    连续漏极电流:16.3A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    AOS Mosfet场效应管 AO4268
    AOS Mosfet场效应管 AO4268

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4268

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:19A

    类型:N-Channel

    导通电阻:4.8mΩ@19A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010SK3Q-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010SK3Q-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6010SK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2841pF@30V

    连续漏极电流:16.3A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    AOS Mosfet场效应管 AO4266E 起订8个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4266E 起订8个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4266E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:755pF@30V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.5mΩ@11A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010SK3Q-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010SK3Q-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6010SK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2841pF@30V

    连续漏极电流:16.3A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    AOS Mosfet场效应管 AO4262E 起订3000个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4262E 起订3000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4262E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1652pF@30V

    连续漏极电流:16.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@16.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4900DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4900DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4900DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:58mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4900DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4900DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4900DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:58mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9945BDY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9945BDY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI9945BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N-Channel

    导通电阻:58mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10000
    加购:2500
    AOS Mosfet场效应管 AO4268
    AOS Mosfet场效应管 AO4268

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4268

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:19A

    类型:N-Channel

    导通电阻:4.8mΩ@19A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010SK3-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010SK3-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6010SK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:36.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1940pF@30V

    连续漏极电流:16.3A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
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