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    漏源电压: 60V
    行业应用: 工业
    功率: 100W
    当前匹配商品:10+
    商品信息
    参数
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    价格
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    谷峰 Mosfet场效应管 25P06 起订30个装
    谷峰 Mosfet场效应管 25P06 起订30个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):25P06

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:100W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:37nC@10V

    输入电容:3.384nF@30V

    连续漏极电流:25A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:31mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5466A-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5466A-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ5466A-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:100W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:40A

    类型:N-Channel

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5466A-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5466A-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ5466A-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:100W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:40A

    类型:N-Channel

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    谷峰 Mosfet场效应管 G700P06T
    谷峰 Mosfet场效应管 G700P06T

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G700P06T

    功率:100W

    阈值电压:2.5V

    连续漏极电流:25A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:58mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TJ60S06M3L(T6L1,NQ 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TJ60S06M3L(T6L1,NQ 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TJ60S06M3L(T6L1,NQ

    工作温度:175℃

    功率:100W

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:156nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7760pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:11.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TJ60S06M3L(T6L1,NQ 起订50个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TJ60S06M3L(T6L1,NQ 起订50个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TJ60S06M3L(T6L1,NQ

    工作温度:175℃

    功率:100W

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:156nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7760pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:11.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    onsemi Mosfet场效应管 NDP6060L
    onsemi Mosfet场效应管 NDP6060L

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDP6060L

    工作温度:-65℃~+175℃

    功率:100W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:2nF@25V

    连续漏极电流:48A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:20mΩ@10V,24A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TJ60S06M3L,LXHQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TJ60S06M3L,LXHQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TJ60S06M3L,LXHQ

    工作温度:175℃

    功率:100W

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:156nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7760pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:11.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    ST Mosfet场效应管 STL42P6LLF6
    ST Mosfet场效应管 STL42P6LLF6

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL42P6LLF6

    工作温度:175℃

    功率:100W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3780pF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TJ60S06M3L,LXHQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TJ60S06M3L,LXHQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TJ60S06M3L,LXHQ

    工作温度:175℃

    功率:100W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:156nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7760pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:11.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NDP6060L
    onsemi Mosfet场效应管 NDP6060L

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDP6060L

    工作温度:-65℃~+175℃

    功率:100W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:2nF@25V

    连续漏极电流:48A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:20mΩ@10V,24A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 NDP6060
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 NDP6060

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDP6060

    工作温度:-65℃~175℃

    功率:100W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    输入电容:1800pF@25V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@24A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 NDP6060
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 NDP6060

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDP6060

    工作温度:-65℃~175℃

    功率:100W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    输入电容:1800pF@25V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@24A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    onsemi Mosfet场效应管 NDP6060L
    onsemi Mosfet场效应管 NDP6060L

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":469}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDP6060L

    工作温度:-65℃~+175℃

    功率:100W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:2nF@25V

    连续漏极电流:48A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:20mΩ@10V,24A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:228
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TJ60S06M3L,LXHQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TJ60S06M3L,LXHQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TJ60S06M3L,LXHQ

    工作温度:175℃

    功率:100W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:156nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7760pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:11.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
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