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    漏源电压: 60V
    类型: P沟道
    工作温度: -55℃~175℃
    当前匹配商品:300+
    商品信息
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    VISHAY Mosfet场效应管 SQM120P06-07L_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM120P06-07L_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM120P06-07L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:270nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14280pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.7mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ459EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4586pF@30V

    连续漏极电流:52A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV100EPAR 起订7个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV100EPAR 起订7个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV100EPAR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:710mW€8.3W

    阈值电压:3.2V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:616pF@30V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:130mΩ@2,2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM110P06-07L-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM110P06-07L-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM110P06-07L-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€375W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:345nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11400pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH6250S-7 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH6250S-7 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH6250S-7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:920mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:512pF@30V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:155mΩ@2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD08P06PGBTMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD08P06PGBTMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD08P06PGBTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@25V

    连续漏极电流:8.83A

    类型:P沟道

    导通电阻:300mΩ@10A,6.2V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T2_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T2_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ459EP-T2_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4586pF@30V

    连续漏极电流:52A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ457EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FQB47P06TM-AM002
    onsemi Mosfet场效应管 FQB47P06TM-AM002

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQB47P06TM-AM002

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€160W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@23.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5113PLT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5113PLT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5113PLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€150W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4400pF@25V

    连续漏极电流:10A€64A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1500
    ST Mosfet场效应管 STL12P6F6
    ST Mosfet场效应管 STL12P6F6

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL12P6F6

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:6.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@48V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:160mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6D120-60PX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6D120-60PX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6D120-60PX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.3W€15W

    阈值电压:3.2V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:724pF@30V

    连续漏极电流:3A€8A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:18
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF9Z24STRR-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF9Z24STRR-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHF9Z24STRR-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:280mΩ@6.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P06-15L_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P06-15L_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P06-15L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5910pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:15.5mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P06-15L_T4GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P06-15L_T4GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P06-15L_T4GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5910pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:15.5mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD08P06PGBTMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD08P06PGBTMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD08P06PGBTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@25V

    连续漏极电流:8.83A

    类型:P沟道

    导通电阻:300mΩ@10A,6.2V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQPF27P06 起订10个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQPF27P06 起订10个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF27P06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:47W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    加购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NVC6S5A354PLZT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVC6S5A354PLZT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":2292,"18+":32950,"19+":2}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVC6S5A354PLZT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.9W

    阈值电压:2.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@20V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1625
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV100EPAR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV100EPAR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV100EPAR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:710mW€8.3W

    阈值电压:3.2V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:616pF@30V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:130mΩ@2,2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13
    onsemi Mosfet场效应管 NTB25P06T4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTB25P06T4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB25P06T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@25V

    连续漏极电流:27.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:82mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:800
    加购:800
    onsemi Mosfet场效应管 NVF2955T1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVF2955T1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVF2955T1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:14.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:492pF@25V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:170mΩ@750mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FQB47P06TM-AM002
    onsemi Mosfet场效应管 FQB47P06TM-AM002

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQB47P06TM-AM002

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€160W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@23.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN100EPAX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN100EPAX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN100EPAX

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:3.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:616pF@30V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:130mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTB25P06T4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTB25P06T4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB25P06T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@25V

    连续漏极电流:27.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:82mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1600
    加购:800
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM110P06-8M9L_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM110P06-8M9L_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM110P06-8M9L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:230W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7450pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD25DP06LMATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD25DP06LMATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":7474,"24+":25000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD25DP06LMATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:28W

    阈值电压:2V@270µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@30V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:250mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:371
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P06-15L-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P06-15L-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD50P06-15L-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:165nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4950pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5113PLT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5113PLT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5113PLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€150W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4400pF@25V

    连续漏极电流:10A€64A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM55P06-19L-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM55P06-19L-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM55P06-19L-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€125W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:115nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:55A

    类型:P沟道

    导通电阻:19mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:800
    加购:800
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM110P06-08L-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM110P06-08L-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM110P06-08L-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€272W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:240nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9200pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:P沟道

    导通电阻:8mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:100
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