品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM120P06-07L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:270nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14280pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:P沟道
导通电阻:6.7mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ459EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:108nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4586pF@30V
连续漏极电流:52A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV100EPAR
工作温度:-55℃~175℃
功率:710mW€8.3W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:616pF@30V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@2,2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM110P06-07L-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€375W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:345nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11400pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:P沟道
导通电阻:6.9mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH6250S-7
工作温度:-55℃~175℃
功率:920mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:512pF@30V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:155mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD08P06PGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:42W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@25V
连续漏极电流:8.83A
类型:P沟道
导通电阻:300mΩ@10A,6.2V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ459EP-T2_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:108nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4586pF@30V
连续漏极电流:52A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ457EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB47P06TM-AM002
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€160W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@23.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5113PLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€150W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4400pF@25V
连续漏极电流:10A€64A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL12P6F6
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:6.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@48V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:160mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6D120-60PX
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.3W€15W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:724pF@30V
连续漏极电流:3A€8A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHF9Z24STRR-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:280mΩ@6.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50P06-15L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5910pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:15.5mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50P06-15L_T4GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5910pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:15.5mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD08P06PGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:42W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@25V
连续漏极电流:8.83A
类型:P沟道
导通电阻:300mΩ@10A,6.2V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF27P06
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":2292,"18+":32950,"19+":2}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVC6S5A354PLZT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.9W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@20V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV100EPAR
工作温度:-55℃~175℃
功率:710mW€8.3W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:616pF@30V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@2,2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB25P06T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@25V
连续漏极电流:27.5A
类型:P沟道
导通电阻:82mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):NVF2955T1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:14.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:492pF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:170mΩ@750mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB47P06TM-AM002
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€160W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@23.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN100EPAX
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:3.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:616pF@30V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@2.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB25P06T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@25V
连续漏极电流:27.5A
类型:P沟道
导通电阻:82mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM110P06-8M9L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:230W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7450pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:P沟道
导通电阻:8.9mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":7474,"24+":25000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD25DP06LMATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:28W
阈值电压:2V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@30V
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@6.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P06-15L-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4950pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5113PLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€150W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4400pF@25V
连续漏极电流:10A€64A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM55P06-19L-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€125W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM110P06-08L-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€272W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:240nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9200pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: