采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2N7002AKDCU6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：240mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：220mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.5Ω@220mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM250NB06DCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€58W
阈值电压：3.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1398pF@30V
连续漏极电流：6A€30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2N7002AKDCU6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：240mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：220mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.5Ω@220mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6040SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8KC6TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@30V
连续漏极电流：5.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT090N06D52
工作温度：-55℃~150℃
功率：62W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1011pF@30V
连续漏极电流：40A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KDW_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：35pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM250NB06DCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€58W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1398pF@30V
连续漏极电流：6A€30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4946DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：910pF@24V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：55mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM250NB06DCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€58W
阈值电压：3.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1398pF@30V
连续漏极电流：6A€30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4946DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：910pF@24V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：55mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4946DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：910pF@24V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：55mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2N7002AKDCU6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：240mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：220mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.5Ω@220mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT090N06D52
工作温度：-55℃~150℃
功率：62W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1011pF@30V
连续漏极电流：40A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM300NB06DCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1079pF@30V
连续漏极电流：6A€25A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5866A-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W€68.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1574pF@25V
连续漏极电流：7A€40A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：17mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KDW_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：35pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K32HZGTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：65mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB00EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：3.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"24+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002DWH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ960EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：735pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：35000，"MI+"：4876}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC155N06NDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@20µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15.5mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX7002BKXBZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：285mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.6pF@10V
连续漏极电流：260mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.8Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ9945BEY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：64mΩ@3.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002DW-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.5Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N06S4L26AATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：33W
阈值电压：2.2V@10µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1430pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：26mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N06S4L11ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.2V@28µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4020pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.2mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB60EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1926DL-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18.5pF@30V
连续漏极电流：370mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.4Ω@340mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ9945BEY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：64mΩ@3.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
