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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM250NB06DCR RLG 起订250个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM250NB06DCR RLG 起订250个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM250NB06DCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€58W

    阈值电压:3.8V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1398pF@30V

    连续漏极电流:6A€30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:25mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM250NB06DCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM250NB06DCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM250NB06DCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€58W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1398pF@30V

    连续漏极电流:6A€30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:25mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM250NB06DCR RLG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM250NB06DCR RLG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM250NB06DCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€58W

    阈值电压:3.8V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1398pF@30V

    连续漏极电流:6A€30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:25mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5866A-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5866A-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ5866A-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2W€68.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1574pF@25V

    连续漏极电流:7A€40A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:17mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB00EP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB00EP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB00EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:3.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ960EP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ960EP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ960EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:34W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:735pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:36mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC155N06NDATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC155N06NDATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":35000,"MI+":4876}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC155N06NDATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@20µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2250pF@30V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15.5mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:510
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ9945BEY-T1_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ9945BEY-T1_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ9945BEY-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@25V

    连续漏极电流:5.4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:64mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L26AATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L26AATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N06S4L26AATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:33W

    阈值电压:2.2V@10µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1430pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:26mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    加购:5000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L11ATMA2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L11ATMA2

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N06S4L11ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2.2V@28µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4020pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:11.2mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB60EP-T1_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB60EP-T1_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB60EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ9945BEY-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ9945BEY-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ9945BEY-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@25V

    连续漏极电流:5.4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:64mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ952EP-T1_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ952EP-T1_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ952EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@30V

    连续漏极电流:23A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:20mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L11ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L11ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N06S4L11ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2.2V@28µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4020pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:11.2mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L14ATMA2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L14ATMA2

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":7069,"23+":94567,"MI+":2111}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N06S4L14ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:50W

    阈值电压:2.2V@20µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2890pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:13.7mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:605
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C672NLT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C672NLT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C672NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€45W

    阈值电压:2.2V@30µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:793pF@25V

    连续漏极电流:12A€49A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:11.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C672NLWFT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C672NLWFT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C672NLWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€45W

    阈值电压:2.2V@30µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:793pF@25V

    连续漏极电流:12A€49A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:11.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C672NLWFT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C672NLWFT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C672NLWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€45W

    阈值电压:2.2V@30µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:793pF@25V

    连续漏极电流:12A€49A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:11.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    加购:25
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB60EP-T1_GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB60EP-T1_GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB60EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L11ATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L11ATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N06S4L11ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2.2V@28µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4020pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:11.2mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L26ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L26ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":37851,"23+":125900,"24+":56845,"MI+":5567}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N06S4L26ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:33W

    阈值电压:2.2V@10µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1430pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:26mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:784
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C650NLWFT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C650NLWFT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C650NLWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.5W€125W

    阈值电压:2.2V@98µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2546pF@25V

    连续漏极电流:21A€111A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:4.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1500
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C674NLT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C674NLT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"24+":64500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C674NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€37W

    阈值电压:2.2V@25µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@25V

    连续漏极电流:11A€42A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:14.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:386
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S415AATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S415AATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N06S415AATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@20µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2260pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15.5mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB60EP-T1_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB60EP-T1_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB60EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB60EP-T1_GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB60EP-T1_GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB60EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C668NLT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C668NLT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":79500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C668NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€57.5W

    阈值电压:2V@50µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1440pF@25V

    连续漏极电流:15.5A€68A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:6.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:214
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L14AATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L14AATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N06S4L14AATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:50W

    阈值电压:2.2V@20µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2890pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:13.7mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9945
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9945

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS9945

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@30V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:100mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    加购:5
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L11ATMA2 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L11ATMA2 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N06S4L11ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2.2V@28µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4020pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:11.2mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
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