采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2N7002AKDCU6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：240mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：220mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.5Ω@220mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2N7002AKDCU6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：240mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：220mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.5Ω@220mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6040SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT090N06D52
工作温度：-55℃~150℃
功率：62W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1011pF@30V
连续漏极电流：40A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KDW_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：35pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4946DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：910pF@24V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：55mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4946DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：910pF@24V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：55mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4946DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：910pF@24V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：55mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2N7002AKDCU6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：240mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：220mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.5Ω@220mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT090N06D52
工作温度：-55℃~150℃
功率：62W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1011pF@30V
连续漏极电流：40A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM300NB06DCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1079pF@30V
连续漏极电流：6A€25A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KDW_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：35pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"24+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002DWH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX7002BKXBZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：285mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.6pF@10V
连续漏极电流：260mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.8Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002DW-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.5Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1926DL-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18.5pF@30V
连续漏极电流：370mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.4Ω@340mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX7002BKXBZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：285mW
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.6pF@10V
连续漏极电流：260mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.8Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7220DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：60mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：24050}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO615NGXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@20µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：150mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ250DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.3W€33W
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@30V€790pF@30V
连续漏极电流：14A€38A
类型：2N沟道（双）
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO615NGXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@20µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：150mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7220DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：60mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS4DNF60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：55mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138BKS，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：445mW
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：56pF@10V
连续漏极电流：320mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@320mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX138AKSX
工作温度：-55℃~150℃
功率：325mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@30V
连续漏极电流：170mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.5Ω@170mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1026X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：305mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D8LVTQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12.9pF@12V
连续漏极电流：630mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZD5110NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：294mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002DW
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.5Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88539NDT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：741pF@30V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
