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    漏源电压: 60V
    功率: 65W
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:30+
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    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L11ATMA2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L11ATMA2

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N06S4L11ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2.2V@28µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4020pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:11.2mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L11ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L11ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N06S4L11ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2.2V@28µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4020pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:11.2mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L11ATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L11ATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N06S4L11ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2.2V@28µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4020pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:11.2mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20P06LT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20P06LT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20P06LT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:26nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@25V

    连续漏极电流:15.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@7.5A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    加购:2500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L11ATMA2 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L11ATMA2 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N06S4L11ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2.2V@28µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4020pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:11.2mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y25-60E,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y25-60E,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y25-60E,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2.1V@1mA

    栅极电荷:12nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:21.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20P06LT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20P06LT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20P06LT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:26nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@25V

    连续漏极电流:15.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@7.5A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:200
    加购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC112N06LDATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC112N06LDATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC112N06LDATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2.2V@28µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4020pF@30V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:11.2mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L11ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L11ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N06S4L11ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2.2V@28µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4020pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:11.2mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y25-60E,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y25-60E,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y25-60E,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:21.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L11AATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L11AATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N06S4L11AATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2.2V@28µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4020pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:11.2mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20P06LT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20P06LT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20P06LT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:26nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@25V

    连续漏极电流:15.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@7.5A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    加购:2500
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20P06LT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20P06LT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20P06LT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:26nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@25V

    连续漏极电流:15.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@7.5A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    加购:5
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L11ATMA1 起订250个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L11ATMA1 起订250个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N06S4L11ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2.2V@28µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4020pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:11.2mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20P06LT4G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20P06LT4G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20P06LT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:26nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@25V

    连续漏极电流:15.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@7.5A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC112N06LDATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC112N06LDATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":6950,"MI+":3431}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC112N06LDATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2.2V@28µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4020pF@30V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:11.2mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L11ATMA2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L11ATMA2

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N06S4L11ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2.2V@28µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4020pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:11.2mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0656DPB-00#J5 起订2个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0656DPB-00#J5 起订2个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK0656DPB-00#J5

    工作温度:150℃

    功率:65W

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@10V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    ST Mosfet场效应管 STL8DN6LF3
    ST Mosfet场效应管 STL8DN6LF3

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL8DN6LF3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:668pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:30mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20P06LT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20P06LT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20P06LT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:26nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@25V

    连续漏极电流:15.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@7.5A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:40
    加购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L11AATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L11AATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N06S4L11AATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2.2V@28µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4020pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:11.2mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y25-60E,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y25-60E,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y25-60E,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:21.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L11ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L11ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":3992,"23+":39401,"24+":14789}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N06S4L11ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2.2V@28µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4020pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:11.2mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20P06LT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20P06LT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20P06LT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:26nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@25V

    连续漏极电流:15.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@7.5A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    加购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L11ATMA2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L11ATMA2

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":1053}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N06S4L11ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2.2V@28µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4020pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:11.2mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20P06LT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20P06LT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20P06LT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:26nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@25V

    连续漏极电流:15.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@7.5A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC112N06LDATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC112N06LDATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC112N06LDATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2.2V@28µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4020pF@30V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:11.2mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20P06LT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20P06LT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20P06LT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@25V

    连续漏极电流:15.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@7.5A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L11AATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L11AATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N06S4L11AATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2.2V@28µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4020pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:11.2mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y25-60E,115 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y25-60E,115 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y25-60E,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:21.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
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