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    漏源电压: 60V
    功率: 55W
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:30+
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    UMW Mosfet场效应管 30N06
    UMW Mosfet场效应管 30N06

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):30N06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1562pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    UMW Mosfet场效应管 STD30NF06L
    UMW Mosfet场效应管 STD30NF06L

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD30NF06L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:25nC@10V

    输入电容:1.562nF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:29mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    UMW Mosfet场效应管 STD20NF06L
    UMW Mosfet场效应管 STD20NF06L

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD20NF06L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1562pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13
    UMW Mosfet场效应管 STD20NF06L
    UMW Mosfet场效应管 STD20NF06L

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD20NF06L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1562pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    UMW Mosfet场效应管 STD20NF06L
    UMW Mosfet场效应管 STD20NF06L

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD20NF06L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1562pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    UMW Mosfet场效应管 STD20NF06L
    UMW Mosfet场效应管 STD20NF06L

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD20NF06L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250µA

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1562pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    UMW Mosfet场效应管 30N06 起订1000个装
    UMW Mosfet场效应管 30N06 起订1000个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):30N06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1562pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    UMW Mosfet场效应管 30N06
    UMW Mosfet场效应管 30N06

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):30N06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1562pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NTD2955T4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD2955T4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD2955T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P-Channel

    导通电阻:180mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M24-60EX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M24-60EX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M24-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.1V@1mA

    栅极电荷:12.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1469pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 NTD2955T4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD2955T4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD2955T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P-Channel

    导通电阻:180mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M24-60EX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M24-60EX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M24-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.1V@1mA

    栅极电荷:12.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1469pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:750
    onsemi Mosfet场效应管 NTD2955T4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD2955T4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD2955T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P-Channel

    导通电阻:180mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    onsemi Mosfet场效应管 NTD2955T4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD2955T4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD2955T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P-Channel

    导通电阻:180mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    加购:5
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0652DPB-00#J5
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0652DPB-00#J5

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK0652DPB-00#J5

    工作温度:150℃

    功率:55W

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4100pF@10V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@17.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M24-60EX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M24-60EX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M24-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1469pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M24-60EX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M24-60EX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M24-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.1V@1mA

    栅极电荷:12.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1469pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0652DPB-00#J5
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0652DPB-00#J5

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK0652DPB-00#J5

    工作温度:150℃

    功率:55W

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4100pF@10V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@17.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M24-60EX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M24-60EX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M24-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1469pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA06EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA06EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA06EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@25V

    连续漏极电流:57A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.7mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M24-60EX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M24-60EX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M24-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.1V@1mA

    栅极电荷:12.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1469pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5414NT4G-VF01
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5414NT4G-VF01

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":2500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5414NT4G-VF01

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@24A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:904
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M24-60EX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M24-60EX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M24-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1469pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M24-60EX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M24-60EX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M24-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.1V@1mA

    栅极电荷:12.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1469pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 SVD2955T4G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 SVD2955T4G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SVD2955T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 SVD2955T4G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 SVD2955T4G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SVD2955T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 SVD2955T4G
    onsemi Mosfet场效应管 SVD2955T4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SVD2955T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0652DPB-00#J5
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0652DPB-00#J5

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK0652DPB-00#J5

    工作温度:150℃

    功率:55W

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4100pF@10V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@17.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTD2955T4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD2955T4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD2955T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P-Channel

    导通电阻:180mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA06EP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA06EP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA06EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:57A

    类型:N-Channel

    导通电阻:8.7mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
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