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    漏源电压: 60V
    功率: 1.7W
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:40+
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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM850N06CX RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM850N06CX RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM850N06CX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:529pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    谷峰 Mosfet场效应管 03N06L
    谷峰 Mosfet场效应管 03N06L

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):03N06L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.6nC@30V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:510pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:72mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    谷峰 Mosfet场效应管 03N06
    谷峰 Mosfet场效应管 03N06

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):03N06

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.6nC@30V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:510pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:65mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM850N06CX RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM850N06CX RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM850N06CX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:529pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM850N06CX RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM850N06CX RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM850N06CX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:529pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    谷峰 Mosfet场效应管 03N06L
    谷峰 Mosfet场效应管 03N06L

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):03N06L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.6nC@30V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:510pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:72mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6180SK3-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6180SK3-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6180SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:17.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:984.7pF@30V

    连续漏极电流:14A

    类型:P-Channel

    导通电阻:110mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6180SK3-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6180SK3-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6180SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:984.7pF@30V

    连续漏极电流:14A

    类型:P-Channel

    导通电阻:110mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4850EY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4850EY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4850EY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6A

    类型:N-Channel

    导通电阻:22mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SSD-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SSD-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6040SSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:22.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1287pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:2N-Channel

    导通电阻:40mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6180SK3-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6180SK3-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:24+

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6180SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:17.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:984.7pF@30V

    连续漏极电流:14A

    类型:P-Channel

    导通电阻:110mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4850EY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4850EY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4850EY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.7W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6A

    类型:N-Channel

    导通电阻:22mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6180SK3-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6180SK3-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6180SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:17.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:984.7pF@30V

    连续漏极电流:14A

    类型:P-Channel

    导通电阻:110mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4850EY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4850EY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4850EY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6A

    类型:N-Channel

    导通电阻:22mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4850EY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4850EY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2年内

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4850EY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6A

    类型:N-Channel

    导通电阻:22mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4850EY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4850EY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4850EY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.7W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6A

    类型:N-Channel

    导通电阻:22mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SSD-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SSD-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6040SSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:22.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1287pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:2N-Channel

    导通电阻:40mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    加购:2500
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6180SK3Q-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6180SK3Q-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6180SK3Q-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:984.7pF@30V

    连续漏极电流:14A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SSD-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SSD-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6040SSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:22.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1287pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:2N-Channel

    导通电阻:40mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SSD-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SSD-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2年内

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6040SSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:22.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1287pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:2N-Channel

    导通电阻:40mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4850EY-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4850EY-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4850EY-T1-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    加购:2500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4850EY-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4850EY-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4850EY-T1-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4850EY-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4850EY-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4850EY-T1-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4850EY-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4850EY-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4850EY-T1-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    加购:2500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4850EY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4850EY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4850EY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6A

    类型:N-Channel

    导通电阻:22mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6180SK3-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6180SK3-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6180SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:984.7pF@30V

    连续漏极电流:14A

    类型:P-Channel

    导通电阻:110mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4850EY-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4850EY-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4850EY-T1-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6180SK3-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6180SK3-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6180SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:984.7pF@30V

    连续漏极电流:14A

    类型:P-Channel

    导通电阻:110mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4850EY-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4850EY-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4850EY-T1-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4850EY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4850EY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4850EY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.7W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6A

    类型:N-Channel

    导通电阻:22mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
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