采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM340N06CH X0G
工作温度：150℃
功率：66W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1180pF@30V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：589，"17+"：606，"18+"：445}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0601DPN-E0#T2
工作温度：150℃
功率：200W
ECCN：EAR99
栅极电荷：141nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10000pF@10V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@55A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK30A06N1，S4X
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1050pF@30V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：N0602N-S19-AY
工作温度：150℃
功率：1.5W€156W
ECCN：EAR99
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7730pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF10P6F6
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：6.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：340pF@48V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK40A06N1，S4X
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@30V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：N0602N-S19-AY
工作温度：150℃
功率：1.5W€156W
ECCN：EAR99
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7730pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK58E06N1，S1X
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3400pF@30V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@29A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：N0602N-S19-AY
工作温度：150℃
功率：1.5W€156W
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7730pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：N0603N-S23-AY
工作温度：150℃
功率：1.5W€156W
ECCN：EAR99
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7730pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：N0602N-S19-AY
工作温度：150℃
功率：1.5W€156W
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7730pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK30A06N1，S4X
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1050pF@30V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E06N1，S1X
工作温度：150℃
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10500pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
