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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2309CX RFG 起订30000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2309CX RFG 起订30000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2309CX RFG

    工作温度:150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:425pF@30V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2309CX RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2309CX RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2309CX RFG

    工作温度:150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:425pF@30V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM7P06CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM7P06CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM7P06CP ROG

    工作温度:150℃

    功率:15.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:425pF@30V

    连续漏极电流:7A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2309CX RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2309CX RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2309CX RFG

    工作温度:150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:425pF@30V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM7P06CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM7P06CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM7P06CP ROG

    工作温度:150℃

    功率:15.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:8.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:425pF@30V

    连续漏极电流:7A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    加购:2500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2309CX RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2309CX RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2309CX RFG

    工作温度:150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:8.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:425pF@30V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:16
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2309CX RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2309CX RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2309CX RFG

    工作温度:150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:8.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:425pF@30V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2309CX RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2309CX RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2309CX RFG

    工作温度:150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:425pF@30V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2309CX RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2309CX RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2309CX RFG

    工作温度:150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:425pF@30V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2309CX RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2309CX RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2309CX RFG

    工作温度:150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:8.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:425pF@30V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:600
    onsemi Mosfet场效应管 6HP04MH-TL-W
    onsemi Mosfet场效应管 6HP04MH-TL-W

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":1571}

    销售单位:

    规格型号(MPN):6HP04MH-TL-W

    工作温度:150℃

    功率:600mW

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.84nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:24.1pF@20V

    连续漏极电流:370mA

    类型:P沟道

    导通电阻:4.2Ω@190mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1538
    TOSHIBA Mosfet场效应管 2SJ168TE85LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 2SJ168TE85LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SJ168TE85LF

    工作温度:150℃

    功率:200mW

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:85pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:P沟道

    导通电阻:2Ω@50mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    ROHM Mosfet场效应管 RS3L110ATTB1
    ROHM Mosfet场效应管 RS3L110ATTB1

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS3L110ATTB1

    工作温度:150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:115nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6300pF@30V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:12.8mΩ@11A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L03BATTL1
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L03BATTL1

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3L03BATTL1

    工作温度:150℃

    功率:56W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1930pF@30V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:41mΩ@35A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:300
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3L070ATTB
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3L070ATTB

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3L070ATTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2850pF@30V

    连续漏极电流:25A

    类型:P沟道

    导通电阻:28mΩ@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    RENESAS Mosfet场效应管 2SJ598-ZK-E1-AZ
    RENESAS Mosfet场效应管 2SJ598-ZK-E1-AZ

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SJ598-ZK-E1-AZ

    工作温度:150℃

    功率:1W€23W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:720pF@10V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:130mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L01BATTL1
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L01BATTL1

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3L01BATTL1

    工作温度:150℃

    功率:26W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:15.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@30V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:84mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:300
    onsemi Mosfet场效应管 6HP04CH-TL-W
    onsemi Mosfet场效应管 6HP04CH-TL-W

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":83323}

    销售单位:

    规格型号(MPN):6HP04CH-TL-W

    工作温度:150℃

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.84nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:24.1pF@20V

    连续漏极电流:370mA

    类型:P沟道

    导通电阻:4.2Ω@190mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3661
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L01BATTL1
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L01BATTL1

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3L01BATTL1

    工作温度:150℃

    功率:26W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:15.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@30V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:84mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L07BATTL1
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L07BATTL1

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3L07BATTL1

    工作温度:150℃

    功率:101W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6700pF@30V

    连续漏极电流:70A

    类型:P沟道

    导通电阻:12.7mΩ@70A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    ROHM Mosfet场效应管 BSS84T116
    ROHM Mosfet场效应管 BSS84T116

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS84T116

    工作温度:150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2.5V@100µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:34pF@30V

    连续漏极电流:230mA

    类型:P沟道

    导通电阻:5.3Ω@230mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L07BATTL1 起订300个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L07BATTL1 起订300个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3L07BATTL1

    工作温度:150℃

    功率:101W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6700pF@30V

    连续漏极电流:70A

    类型:P沟道

    导通电阻:12.7mΩ@70A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:300
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J356R,LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J356R,LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J356R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:300mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:21000
    ROHM Mosfet场效应管 BSS84AHZGT116 起订300个装
    ROHM Mosfet场效应管 BSS84AHZGT116 起订300个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS84AHZGT116

    工作温度:150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2.5V@100µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:34pF@30V

    连续漏极电流:230mA

    类型:P沟道

    导通电阻:5.3Ω@230mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:300
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J351R,LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J351R,LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J351R,LF

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:15.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:134mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:14
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6L020SPTCR 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6L020SPTCR 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ6L020SPTCR

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:7.2nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:210mΩ@2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ROHM Mosfet场效应管 BSS84AHZGT116
    ROHM Mosfet场效应管 BSS84AHZGT116

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS84AHZGT116

    工作温度:150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2.5V@100µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:34pF@30V

    连续漏极电流:230mA

    类型:P沟道

    导通电阻:5.3Ω@230mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3L070ATTB 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3L070ATTB 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3L070ATTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2850pF@30V

    连续漏极电流:25A

    类型:P沟道

    导通电阻:28mΩ@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 ATP113-TL-H
    onsemi Mosfet场效应管 ATP113-TL-H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ATP113-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:50W

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@20V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:29.5mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J351R,LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J351R,LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J351R,LF

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:134mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
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