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    连续漏极电流: 800mA
    行业应用: 工业
    工作温度: -55℃~150℃
    当前匹配商品:50+
    商品信息
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    IXYS Mosfet场效应管 IXTA08N50D2
    IXYS Mosfet场效应管 IXTA08N50D2

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTA08N50D2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    栅极电荷:12.7nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:312pF@25V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6Ω@400mA,0V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3401LDW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3401LDW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3401LDW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:800mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:400mΩ@590mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:24
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT290UNE,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT290UNE,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMDT290UNE,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:950mV@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:83pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:380mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:23
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A07FTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A07FTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN10A07FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:806mW

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:138pF@50V

    连续漏极电流:800mA

    导通电阻:700mΩ

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDN86265P
    onsemi Mosfet场效应管 FDN86265P

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN86265P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@75V

    连续漏极电流:800mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@800mA,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4210GTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4210GTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN4210GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.4V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:100pF@25V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP08N50D2
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP08N50D2

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTP08N50D2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    栅极电荷:12.7nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:312pF@25V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6Ω@400mA,0V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT290UNEH
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT290UNEH

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMDT290UNEH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW€1.09W

    阈值电压:950mV@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:83pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:380mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    加购:5
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMH600UNEH
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMH600UNEH

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMH600UNEH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:370mW€2.2W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.31nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21.3pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT290UNE,115 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT290UNE,115 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMDT290UNE,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:83pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:380mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3401LDW-7 起订75000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3401LDW-7 起订75000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3401LDW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:800mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:400mΩ@590mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:75000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV450ENEAR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV450ENEAR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV450ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:323mW€554mW

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:3.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:101pF@30V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@900mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1500
    加购:5
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT290UNEH
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT290UNEH

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMDT290UNEH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW€1.09W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:83pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:380mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT290UNE,115 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT290UNE,115 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMDT290UNE,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:950mV@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:83pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:380mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 NDDL01N60ZT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NDDL01N60ZT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDDL01N60ZT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:26W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:4.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:92pF@25V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:15Ω@400mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2004
    onsemi Mosfet场效应管 NDDL01N60Z-1G
    onsemi Mosfet场效应管 NDDL01N60Z-1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDDL01N60Z-1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:26W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:4.9nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:92pF@25V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:15Ω@400mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2004
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT290UNEH
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT290UNEH

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMDT290UNEH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW€1.09W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:83pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:380mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3401LDW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3401LDW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3401LDW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:800mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:400mΩ@590mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT290UNEH
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT290UNEH

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMDT290UNEH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW€1.09W

    阈值电压:950mV@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:83pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:380mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    加购:5
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMH600UNEH 起订59个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMH600UNEH 起订59个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMH600UNEH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:370mW€2.2W

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:0.31nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21.3pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A07FTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A07FTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN10A07FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:806mW

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:2.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:138pF@50V

    连续漏极电流:800mA

    导通电阻:700mΩ

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 NDDL01N60Z-1G
    onsemi Mosfet场效应管 NDDL01N60Z-1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":8775,"9999":1125}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDDL01N60Z-1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:26W

    阈值电压:4.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.9nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:92pF@25V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:15Ω@400mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2004
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A07FTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A07FTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:1506

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN10A07FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:806mW

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:2.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:138pF@50V

    连续漏极电流:800mA

    导通电阻:700mΩ

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT290UNE,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT290UNE,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMDT290UNE,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:950mV@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:83pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:380mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:19
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A07FTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A07FTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:1506

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN10A07FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:806mW

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:2.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:138pF@50V

    连续漏极电流:800mA

    导通电阻:700mΩ

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3401LDW-7 起订6000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3401LDW-7 起订6000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3401LDW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:800mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:400mΩ@590mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMH600UNEH
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMH600UNEH

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMH600UNEH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:370mW€2.2W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.31nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21.3pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:40
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMH600UNEH
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMH600UNEH

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMH600UNEH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:370mW€2.2W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.31nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21.3pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:35
    IXYS Mosfet场效应管 IXTY08N50D2
    IXYS Mosfet场效应管 IXTY08N50D2

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):70psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTY08N50D2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.7nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:312pF@25V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6Ω@400mA,0V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:70
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT290UNEH
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT290UNEH

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMDT290UNEH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW€1.09W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:83pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:380mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
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