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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3481CX6 RFG 起订3个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3481CX6 RFG 起订3个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM3481CX6 RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:18.09nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1047.98pF@15V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:48mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3481CX6 RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3481CX6 RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM3481CX6 RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:18.09nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1047.98pF@15V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:48mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3481CX6 RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3481CX6 RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM3481CX6 RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:18.09nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1047.98pF@15V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:48mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3481CX6 RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3481CX6 RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM3481CX6 RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:18.09nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1047.98pF@15V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:48mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FQD7P20TM
    onsemi Mosfet场效应管 FQD7P20TM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD7P20TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€55W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@25V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:690mΩ@2.85A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    加购:2500
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6050SPS-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6050SPS-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6050SPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2163pF@30V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431BDY-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431BDY-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4431BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV20XNER
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV20XNER

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV20XNER

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:510mW€6.94W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:18.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@15V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@5.7A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:23
    onsemi Mosfet场效应管 FQD7P20TM
    onsemi Mosfet场效应管 FQD7P20TM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD7P20TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€55W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@25V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:690mΩ@2.85A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF6645TRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF6645TRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF6645TRPBF

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:2.2W€42W

    阈值电压:4.9V@50µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:890pF@25V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:N-Channel

    导通电阻:35mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    加购:5
    NXP Mosfet场效应管 PMN34LN,135
    NXP Mosfet场效应管 PMN34LN,135

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":10000,"9999":173}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN34LN,135

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.75W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@20V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2671
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6050SPS-13 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6050SPS-13 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6050SPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2163pF@30V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3400A
    AOS Mosfet场效应管 AO3400A

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3400A

    功率:1.4W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.7A

    类型:N-Channel

    导通电阻:26.5mΩ@10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7456DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@9.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN40ENEX 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN40ENEX 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN40ENEX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:530mW€4.46W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:294pF@15V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    AOS Mosfet场效应管 AO3400A
    AOS Mosfet场效应管 AO3400A

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3400A

    功率:1.4W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.7A

    类型:N-Channel

    导通电阻:26.5mΩ@10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:21000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6562CDQ-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6562CDQ-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6562CDQ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W€1.7W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:N+P-Channel

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FQD7P20TM
    onsemi Mosfet场效应管 FQD7P20TM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD7P20TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€55W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@25V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:690mΩ@2.85A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7456DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@9.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    AOS Mosfet场效应管 AO3400A
    AOS Mosfet场效应管 AO3400A

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3400A

    功率:1.4W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.7A

    类型:N-Channel

    导通电阻:26.5mΩ@10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6050SPS-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6050SPS-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6050SPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2163pF@30V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431BDY-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431BDY-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4431BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5116PLTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5116PLTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS5116PLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€40W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1258pF@30V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6562CDQ-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6562CDQ-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6562CDQ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W€1.7W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:N+P-Channel

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    加购:3000
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP7A17KTC
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP7A17KTC

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP7A17KTC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.11W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@40V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P-Channel

    导通电阻:160mΩ@2.1A,10V

    漏源电压:70V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FQD7P20TM
    onsemi Mosfet场效应管 FQD7P20TM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD7P20TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€55W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@25V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:690mΩ@2.85A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5116PLTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5116PLTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS5116PLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€40W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1258pF@30V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R1K0CEATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R1K0CEATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD80R1K0CEATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:3.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@100V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:950mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5116PLTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5116PLTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS5116PLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€40W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1258pF@30V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN42XPEAH
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN42XPEAH

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN42XPEAH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW€8.33W

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1410pF@10V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:46mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
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