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    强茂 Mosfet场效应管 PJE138K-AU_R1_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJE138K-AU_R1_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJE138K-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:223mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:20000
    强茂 Mosfet场效应管 PJE138K-AU_R1_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJE138K-AU_R1_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJE138K-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:223mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJX138K_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJX138K_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJX138K_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:223mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:350mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJE138K-AU_R1_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJE138K-AU_R1_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJE138K-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:223mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJX138K_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJX138K_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJX138K_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:223mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:350mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:14
    强茂 Mosfet场效应管 PJE138K_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJE138K_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJE138K_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:223mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJE138K_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJE138K_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJE138K_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:223mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJE138K_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJE138K_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJE138K_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:223mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    强茂 Mosfet场效应管 PJE138K_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJE138K_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJE138K_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:223mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBKW,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBKW,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3008NBKW,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW€830mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:0.68nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP129H6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP129H6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP129H6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1V@108µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:108pF@25V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@350mA,10V

    漏源电压:240V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8L-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8L-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN63D8L-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.2pF@25V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@250mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13
    Microchip Mosfet场效应管 VN0106N3-G
    Microchip Mosfet场效应管 VN0106N3-G

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):VN0106N3-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.4V@1mA

    包装方式:

    输入电容:65pF@25V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP129H6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP129H6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP129H6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1V@108µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:108pF@25V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@350mA,10V

    漏源电压:240V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    NXP Mosfet场效应管 NX3008NBKT,115
    NXP Mosfet场效应管 NX3008NBKT,115

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":195103}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3008NBKT,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW€770mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.68nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4488
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D6UT-7 起订47个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D6UT-7 起订47个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN31D6UT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:0.35nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13.6pF@15V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBKW,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBKW,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3008NBKW,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW€830mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.68nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Microchip Mosfet场效应管 TN0106N3-G
    Microchip Mosfet场效应管 TN0106N3-G

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TN0106N3-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@500µA

    包装方式:

    输入电容:60pF@25V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Microchip Mosfet场效应管 TN0110N3-G
    Microchip Mosfet场效应管 TN0110N3-G

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TN0110N3-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@500µA

    包装方式:

    输入电容:60pF@25V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@500mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKHH
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKHH

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX7002BKHH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:380mW€2.8W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22.2pF@30V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1013R-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1013R-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1013R-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150mW

    阈值电压:450mV@250µA

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:350mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@350mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP129H6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP129H6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP129H6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1V@108µA

    栅极电荷:5.7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:108pF@25V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@350mA,10V

    漏源电压:240V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:200
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKHH
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKHH

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX7002BKHH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:380mW€2.8W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22.2pF@30V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP88H6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP88H6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP88H6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1.4V@108µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:95pF@25V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@350mA,10V

    漏源电压:240V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX5008NBKMYL
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX5008NBKMYL

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX5008NBKMYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€2.8W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:29pF@25V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP89H6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP89H6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP89H6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1.8V@108µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@25V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@350mA,10V

    漏源电压:240V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX5008NBKHH
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX5008NBKHH

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX5008NBKHH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:380mW€2.8W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Microchip Mosfet场效应管 DN2450K4-G
    Microchip Mosfet场效应管 DN2450K4-G

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DN2450K4-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@25V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@300mA,0V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP89H6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP89H6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP89H6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1.8V@108µA

    栅极电荷:6.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@25V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@350mA,10V

    漏源电压:240V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKMYL
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKMYL

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX7002BKMYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€3.1W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.6pF@10V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    加购:5
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